[发明专利]半导体芯片组体有效

专利信息
申请号: 200910311907.9 申请日: 2009-12-21
公开(公告)号: CN102104102A 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 林文强;王家忠 申请(专利权)人: 钰桥半导体股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 何为
地址: 中国台湾台北*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 芯片组
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片组体,包括黏着层、散热座、基板及半导体组件,其特征在于:

所述黏着层至少具有一开口;

所述散热座至少包含凸柱及基座,其中该凸柱邻接该基座并沿一向上方向延伸于该基座上方,而该基座沿一与该向上方向相反的向下方向延伸于该凸柱下方,并沿垂直于该向上及向下方向的侧面方向从该凸柱侧向延伸;

所述基板设置于该黏着层上并延伸于该基座上方,其至少包含焊垫、端子、路由线、第一与第二导电孔及介电层,其中该焊垫及该端子延伸于该介电层上方,该路由线延伸于该介电层下方并埋设于该黏着层中,各导电孔延伸通过该介电层至该路由线,并由该第一导电孔、该路由线及该第二导电孔构成位于该焊垫与该端子间的导电路径,且一通孔延伸贯穿该基板;

所述半导体组件位于该凸柱上方,重迭于该凸柱,并电性连结于该焊垫,从而电性连结至该端子,且该半导体组件热连结于该凸柱,从而热连结至该基座;

上述凸柱延伸贯穿该开口进入该通孔以达该介电层上方,该基座则延伸于该半导体组件、该黏着层及该基板下方,其中该黏着层设置于该基座上,并于该基座上方延伸进入该通孔内一位于该凸柱与该基板间的缺口,于该缺口中延伸跨越该介电层,并介于该凸柱与该介电层之间、该基座与该介电层之间、以及该基座与该路由线之间。

2.如权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:所述半导体组件为包含LED芯片的LED封装体。

3.如权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:所述半导体组件为包含LED芯片的LED封装体,且经由第一焊锡电性连结至该焊垫,并经由第二焊锡热连结至该凸柱。

4.如权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:所述黏着层在该缺口中接触该凸柱与该介电层,并在该缺口之外接触该基座、该介电层及该路由线。

5.如权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:所述黏着层从下方覆盖该基板,并于该等侧面方向覆盖且环绕该凸柱。

6.如权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:所述黏着层填满该缺口以及该基座与该基板间的一空间。

7.如权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:所述黏着层被限制于该散热座与该基板间的空间内。

8.如权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:所述黏着层延伸至该组体的外围边缘。

9.如权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:所述凸柱与该基座为一体成形。

10.如权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:所述凸柱与该黏着层于该介电层上方为共平面。

11.如权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:所述凸柱为平顶锥柱形,其直径自该基座至该凸柱的平坦顶部呈向上递减。

12.如权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:所述基座从下方覆盖该半导体组件、该凸柱、该基板及该黏着层,并延伸至该组体的外围边缘。

13.如权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:所述基板与该凸柱及该基座隔开。

14.如权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:所述散热座包含盖体,该盖体位于该凸柱的顶部上方,邻接该凸柱的顶部并从上方覆盖,同时沿该等侧面方向自该凸柱的顶部侧向延伸。

15.如权利要求14所述的半导体芯片组体,其特征在于:所述盖体为矩形或正方形,且该凸柱的顶部为圆形。

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