[发明专利]一种射频功率放大器及前端发射机有效
| 申请号： | 200910312387.3 | 申请日： | 2009-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102111112A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张宗楠;郝明丽;张海瑛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率放大器 前端 发射机 | ||
1.一种射频功率放大器，其特征在于：包括线性度补偿电路和放大器，所述线性度补偿电路和所述放大器之间为并联连接。
2.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：所述的线性度补偿电路由一级射频放大器晶体管和使该放大器晶体管产生增益压缩的偏置电路构成，所述射频功率放大器偏置在AB类状态。
3.如权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于：所述线性度补偿电路中的射频放大器晶体管的集电极与线性度补偿电路的输出端和扼流圈相连，基极与线性度补偿电路的输入端相连接，发射极接地。
4.如权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于：所述偏置电路由晶体管(Q2)、二极管(D1)、二极管(D2)以及电阻(R1)构成；所述晶体管(Q2)的集电极与基极之间通过电阻(R1)连接；晶体管(Q2)的基极通过串联的二极管(D1)和二极管(D2)接地，二极管(D1)的正极与晶体管(Q2)的基极相连接，二极管(D2)的负极与地相连接；晶体管(Q2)的发射极与线性度补偿电路的输入端相连接。
5.如权利要求4所述的射频功率放大器，其特征在于：所述线性度补偿电路中的偏置电路上设有一路耦合通路，来实现线性化补偿部分的增益压缩。
6.一种前端发射机，应用于无线通信系统中，其特征在于：包括串联级联的多级射频功率放大器，所述串联级联的多级射频功率放大器，包括线性度补偿电路和功率放大器，所述线性度补偿电路和所述功率放大器之间为串联式级联。
7.如权利要求6所述的前端发射机，其特征在于：所述的线性度补偿电路由一级射频放大器晶体管和使该放大器晶体管产生增益压缩的偏置电路构成，所述功率放大器偏置在AB类状态。
8.如权利要求7所述的前端发射机，其特征在于：所述线性度补偿电路中的射频放大器晶体管(Q1)的集电极与线性度补偿电路的输出端和扼流圈相连，基极与线性度补偿电路的输入端相连接，发射极接地。
9.如权利要求7所述的前端发射机，其特征在于：所述偏置电路由晶体管(Q2)、二极管(D1)、二极管(D2)以及电阻(R1)构成；所述晶体管(Q2)的集电极与基极之间通过电阻(R1)连接；晶体管(Q2)的基极通过串联的二极管(D1)和二极管(D2)接地，二极管(D1)的正极与晶体管(Q2)的基极相连接，二极管(D2)的负极与地相连接；晶体管(Q2)的发射极与线性度补偿电路的输入端相连接。
10.如权利要求9所述的前端发射机，其特征在于：所述线性度补偿电路中的偏置电路上设有一路耦合通路，来实现线性化补偿部分的增益压缩。
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