[发明专利]高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管，其特征在于，所述变容二极管包括半导体绝缘砷化镓衬底，在所述半导体绝缘砷化镓衬底上部的高掺杂的N+型层，以及在所述N+型层上部的N型层；在所述N+型层上部生长有欧姆接触下电极以及与所述欧姆接触下电极相连的下电极引线；在所述N型层的上部生长有肖特基接触上电极以及与所述肖特基接触上电极相连的上电极引线。

2.根据权利要求1所述的高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管，其特征在于，在所述N型层内，从与所述N+型层的交界面至与所述肖特基接触上电极的交界面之间的掺杂浓度由低至高且符合高斯分布。

3.根据权利要求1所述的高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管，其特征在于，所述肖特基接触上电极包括由下至上依次排列的钛金属层、铂金属层和金金属层。

4.根据权利要求1所述的高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管，其特征在于，所述欧姆接触下电极包括由下至上依次排列的镍金属层、锗金属层、金金属层、锗金属层、镍金属层和金金属层。

5.根据权利要求1所述的高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管，其特征在于，所述高掺杂的N+型层内的掺元素为IVA族元素，其掺杂浓度为108/cm3量级。

6.根据权利要求1或2所述的高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管，其特征在于，所述N型层内的掺杂元素为IVA族元素；所述N型层与肖特基接触上电极交界面处的掺杂浓度为1017/cm3量级；所述N型与N+型层交界面处的掺杂浓度为1016/cm3量级。

7.一种高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤A：在半导体绝缘砷化镓衬底上外延生长高掺杂的N+型层；

步骤B：在所述N+型层的上部通过分子束外延法生长N型层，使其掺杂浓度由低至高且符合高斯分布；

步骤C：采用湿法刻蚀减小所述N型层的面积，形成所述N型层至所述N+型层的台面阶梯结构；

步骤D：在所述N+型层和N型层上蒸发金属分别形成欧姆接触下电极和肖特基接触上电极；

步骤E：采用湿法刻蚀减小所述N+型层的面积，形成所述N+层至所述半导体绝缘砷化镓衬底的台面阶梯结构；

步骤F：在上述步骤已制作完成的所述高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管器件表面淀积氮化硅；

步骤G：采用干法刻蚀分别在所述欧姆接触下电极和肖特基接触上电极的表面打开引线天窗，并在所述欧姆接触下电极和肖特基接触上电极上连接下电极引线和上电极引线。