[发明专利]一类梯形共轭聚合物及其制备方法无效
申请号: | 200910312424.0 | 申请日: | 2009-12-28 |
公开(公告)号: | CN101709109A | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
发明(设计)人: | 肖义;袁忠义;杨杨 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12 |
代理公司: | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人: | 花向阳 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一类 梯形 共轭 聚合物 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一类梯形共轭聚合物及其制备方法,将单键相连的含苝酰亚胺的聚合物,在光照条件下,光催化脱氢闭环生成梯形共轭聚合物,属于有机化工和精细化工技术领域。
背景技术
有机半导体现在已经成为人们研究的热点之一。有机半导体之所以受到重视,是因为和传统无机半导体相比,它有如下显著特点:
1有机分子种类繁多,化学结构易于改变,有利于材料和器件的设计。
2.有机半导体易于大面积成膜,对大规模生产很有好处。
3.有机高分子既能导电,又能发光,便于光电集成。
4.成本低廉。
5.成膜工艺多,制备简便,可通过化学反应进行制备。
6.可制成大面积、完全柔性的器件。
3,4,9,10-苝双二亚胺和双苯并咪唑苝最初作为一种着色剂在染料工业中受到广泛关注,由于它优异的平面性、较高的稳定性,近年来被广泛应用于有机半导体材料的设计合成中,它是现在最好的n型有机半导体之一(CN1980791A)。文献(J.Am.Chem.Soc.2007,129:7246)将并三噻吩和苝酰亚胺的港湾位相连,合成的聚合物C’-1作为一种优良有机半导体,可以用溶液旋涂的方法处理,它的电子迁移率达到0.013;并且以它为n型半导体制作的全聚合物太阳能电池的转化率达到1.5%。因此苝酰亚胺是构筑有机半导体的优良的结构单元。
与单键相连的共轭聚合物相比,梯形共轭聚合物消除了由于空间位阻或构型转变引起的电子离域或共轭程度大幅下降的现象,可以提供更加稳定有效的共轭。梯形共轭聚合物像BBL(J.Am.Chem.Soc.2003,125:13656)和LPPP(Makromol.Chem.,RapidCommun.1991,12:489)都表现出优良的有机半导体性质。
虽然梯形共轭聚合物和含苝酰亚胺的聚合物表现出优良的光电性能,然而,A’、B’、C’、D’和E’这些含苝酰亚胺单元通过单键相连的聚合物的光学稳定性很差,光照条件下,发生部分脱氢闭环反应,这影响了这类聚合物作为光电材料的应用。虽然梯形共轭聚合物中能够提供聚合物单元之间稳定有效的共轭,但是由于合成方法的限制,目前,尚未有苝酰亚胺参与主链共轭的梯形共轭聚合物。
发明内容
本发明的目的是为了得到苝酰亚胺参与主链共轭的梯形共轭聚合物,增加聚合物单元之间的有效共轭,增加含苝酰亚胺的共轭聚合物的光学稳定性。
本发明采用的技术方案是:一类梯形共轭聚合物的结构通式P为:
其中:R1=C12~C40的直链或支链烷基,Ar为噻吩、并二噻吩、并三噻吩、二烷基苯或二烷氧基苯,对应的结构式如下:
噻吩 并二噻吩 并三噻吩 二烷基苯 二烷氧基苯
所述的一类梯形共轭聚合物的制备方法:
(a)所述梯形共轭聚合物中:当Ar为噻吩时,所选用的原料为A’;当Ar为并二噻吩时,所选用的原料为B’;当Ar为并三噻吩时,所选用的原料为C’;当Ar为二烷基苯时,所选用的原料为D’;当Ar为二烷氧基苯时,所选用的原料为E’;它们的结构式分别为:
其中:R2~R3=C1~C20的直链或支链烷基。
(b)所述原料选自A’、B’、C’、D’或E’,在催化量的碘存在下、太阳光照下、空气条件下和一定温度下,在有机溶剂中原料发生光催化脱氢闭环反应生成梯形共轭聚合物。
所述有机溶剂选自四氢呋喃、1,4-二氧杂六环、二氯甲烷、三氯甲烷、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、甲苯、二甲苯或氯苯。
本发明中用到的原料C’以1,7-二溴苝酰亚胺(F)和并三噻吩的双锡试剂(L)为原料,通过Stille偶联聚合制备,原料A’、B’、D’、E’按照类似方法合成,用F分别与双锡试剂G、K、M、N通过Stille偶联聚合得到,G、K、L、M、N的结构式如下,它们都能按文献方法方便地合成。
本发明的有益效果是:让原料在催化量的碘存在下、太阳光照下、空气条件下和一定温度下,在有机溶剂中原料发生光催化脱氢闭环反应,高效地得到了梯形共轭聚合物,与原料相比,梯形聚合物单体之间的共轭明显增加,光学稳定性明显增加
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910312424.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。