[发明专利]发光二极管制作方法有效
| 申请号： | 200910312816.7 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102117872A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制作方法 | ||
1.一种发光二极管的制作方法，其包括以下步骤：
提供一个发光二极管芯片，其包括基板以及在基板上依次形成的P型半导体层、活性层及N型半导体层；
在N型半导体层的表面制作电极层；
其特征在于，在制作电极层之前，采用离子注入的方法在N型半导体层表面制作电阻率呈渐变分布的区域，邻近电极层的区域电阻率最大，远离电极层的区域电阻率最小。
2.如权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述离子注入的方法在离子注入机内进行，所述离子注入机包括离子产生器、离子分离器、离子转换器、质量分析器、加速器、聚焦器及离子测量器。
3.如权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述离子注入的深度小于N型半导体层的厚度。
4.如权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述注入的离子包括B、P、As之中的一种或者几种。
5.如权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述离子注入的浓度在1×1018cm-3到9×1018cm-3范围内变化。
6.如权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，在离子注入完成之后，通过真空蒸镀的方法在N型半导体层的表面镀上一层透明导电层。
7.如权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，该发光二极管芯片进一步包括一镜面反射层，该镜面反射层设置在P型半导体层与基板之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司，未经鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910312816.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
