[发明专利]基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法

权利要求书

1.一种基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法，其特征在于，所述方法包括：

在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的字线、位线和源端线分别施加第四电压、第三电压和第一电压，以在选中的存储器中存储二进制数据10；

在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的字线、位线和源端线分别施加第四电压、第一电压和第三电压，以在选中的存储器中存储二进制数据01；

先在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的字线、位线和源端线分别分别施加第四电压、第三电压和第一电压；然后在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的字线、位线和源端线分别分别施加第四电压、第一电压和第三电压，以在选中的存储器中存储二进制数据00；或

在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的字线、位线和源端线分别分别施加第五电压、第一电压和第一电压，以在选中的存储器中存储二进制数据11。

2.如权利要求1所述的基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法，其特征在于：所述第一电压为0V，第三电压为3.5V，第四电压为6V，第五电压依据下述电压值依次变化：-10V、-12V和-14V。

3.一种读取存储数据的方法，其特征在于，所述方法包括：

在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的字线、位线和源端线分别施加第三电压、第二电压和第一电压，以读取使用如权利要求1或2所述的基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法存储的二进制数据10、01、10或者11。

4.如权利要求3所述的读取存储数据的方法，其特征在于，所述第二电压为0.8V。

5.一种基于纳米晶浮栅结构的MOS场效应管的存储方法，其特征在于，包括：

在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的栅极、漏极和源极分别施加第四电压、第三电压和第一电压，以在基于纳米晶浮栅结构的MOS场效应管中存储二进制数据10；

在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的栅极、漏极和源极分别施加第四电压、第一电压和第三电压，以在基于纳米晶浮栅结构的MOS场效应管中存储二进制数据01；

先在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的栅极、漏极和源极分别施加第四电压、第三电压和第一电压；然后在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的栅极、漏极和源极分别施加第四电压、第一电压和第三电压，以在基于纳米晶浮栅结构的MOS场效应管中存储二进制数据00；或

在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的栅极、漏极和源极分别施加第五电压、第一电压和第一电压，以在基于纳米晶浮栅结构的MOS场效应管中存储二进制数据11。

6.如权利要求5所述的基于纳米晶浮栅结构的MOS场效应管的存储方法，其特征在于：第一电压为0V，第三电压为3.5V，第四电压为6V，第五电压依据下述电压值依次变化：-10V、-12V和-14V。

7.一种读取存储数据的方法，其特征在于，

在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的栅极、漏极和源极分别施加第三电压、第二电压和第一电压，以读取使用如权利要求5或6所述的基于纳米晶浮栅结构的MOS场效应管的存储方法存储的二进制数据00、01、10或者11。

8.如权利要求7所述的读取存储数据的方法，其特征在于，第二电压为0.8V。