[发明专利]一种制备纳米尺度氧化硅沟槽的方法

权利要求书

1.一种制备纳米尺度氧化硅沟槽的方法，包括如下步骤：

1)在表面具有氧化硅层的衬底上直接生长碳纳米管；

2)在上述碳纳米管上沉积厚度为20nm--100nm的氧化硅薄膜；

3)用水和氢氟酸的体积比为10∶1--3∶1的氢氟酸溶液或TMAH碱性溶液腐蚀掉上述氧化硅薄膜，在衬底上得到纳米尺度的沟槽。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为表面有热氧化硅层的单晶硅片、石英、玻璃或沉积有氧化硅层的PET塑料、PDMS柔软基底。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管、单壁碳纳米管束、双壁或多壁碳纳米管。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底上采用化学气相沉积方法直接生长碳纳米管。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用磁控溅射法或等离子增强化学气相沉积方法在碳纳米管上沉积氧化硅薄膜。