[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200911000024.2 | 申请日: | 2009-12-29 |
公开(公告)号: | CN101847649A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 李钟均;俞忠根 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/82;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;吕俊刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本申请要求在2009年3月24日提交的韩国专利申请No.10-2009-0024779为优先权,在此通过引用将其内容合并于本申请,如同在此充分阐明。
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法,更具体地,涉及一种改善了使用寿命和亮度的有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
作为先进的信息和通讯领域中的一项重要技术,在屏幕上体现各种信息的图像显示装置随着性能的改良向着薄、轻和/或便携装置的方向持续地发展。随着向先进的信息社会的发展,需要开发各种显示装置,特别是液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)、电致发光显示器(ELD)、场发射显示器(FED)、真空荧光显示器(VFD)等等,这些显示装置在近年来被积极地研究和开发。在这些显示装置中,有机发光显示装置作为一种具有较小的重量和体积的平板显示装置,消除了阴极射线管(CRT)的重量和体积的问题,并且通过控制有机发光层的光发射量来显示图象,因此,它引起了本技术领域的显著关注。
有机发光显示装置是一种利用电极之间的发光薄膜的自发光装置,并且可以制造成片状形式的薄的产品。有源矩阵型有机发光显示装置(AMOLED)包括被形成为矩阵形式以显示图像的多个像素,其中每一个像素由三色(R,G,B)子像素构成。
各子像素都包括有机发光器件(在下文中称为“OLED”)和独立驱动该OLED的单元驱动部分。该单元驱动部分可以具有存储电容器和至少两个薄膜晶体管,以根据数据信号调节提供给有机发光显示装置的电流量,从而控制有机发光显示装置的亮度。
传统的OLED包括阴极、有机发光层和阳极,并且在顶部发光型OLED中,由透明导电层构成的阴极或阳极形成在发光侧。此时,位于发光侧的阴极或阳极设置在底层之上。由透明导电层构成的阴极或阳极具有相当高的电阻率,这会导致电压降,即IR压降。
特别是,对大屏幕来说,阴极或阳极的面积还被扩大,从而增大了阴极或阳极的电阻率,由此导致如图1所示在长度方向上显著的IR压降。结果,对于阴极或阳极(由透明导电层构成)排列在前侧的显示装置来说,会导致亮度不均匀,从而使得显示装置的可靠性降低。
发明内容
因此,本发明致力于解决上述问题,并且本发明的目的是提供一种具有均匀亮度的有机发光显示装置及其制造方法。
为了实现本发明的上述目的和其它优点,根据本发明的目的提供了一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括:形成在底板(bottomsubstrate)的非发光区域中的至少一个子像素驱动部分,其中该底板限定有非发光区域和发光区域;第一电极,其电连接到所述子像素驱动部分;缓冲层,其设置在所述非发光区域中的所述第一电极上,以将有机发光器件分成多个子像素单元;绝缘图案,其形成在所述非发光区域中的所述缓冲层上;辅助电极,其形成在所述非发光区域中的所述绝缘图案上;有机发光层,其位于所述发光区域中的所述第一电极上,并且位于所述非发光区域中的所述辅助电极上;以及第二电极,其形成在设置有所述辅助电极和有机发光层的所述底板上。
这里,所述辅助电极可以由电阻比用于所述第二电极的其它材料低的材料构成。该辅助电极的厚度与该第二电极的厚度基本上相同,该辅助电极的宽度可以等于或小于所述缓冲层的宽度。
所述绝缘图案的厚度是所述有机发光层的厚度的两倍,并且该绝缘图案的面积可以等于或小于所述辅助电极的面积。
所述非发光区域中的所述辅助电极、所述辅助电极上的所述有机发光层和所述有机发光层上的所述第二电极具有电阻特性,并且所述发光区域中的所述第一电极、所述第一电极上的所述有机发光层和所述有机发光层上的所述第二电极具有二极管特性。
本发明的有机发光显示装置进一步包括形成在整个所述第二电极上的钝化层。
根据本发明的有机发光显示装置的制造方法包括:在底板的非发光区域的一部分和发光区域中形成第一电极,所述底板限定有所述非发光区域和发光区域;在所述底板的部分地设置有所述第一电极的非发光区域中形成缓冲层;在所述非发光区域中的所述缓冲层上形成绝缘图案;在所述非发光区域中的所述绝缘图案上形成辅助电极;在所述底板的发光区域和设置有所述辅助电极的非发光区域中形成有机发光层;在所述底板的发光区域和设置有所述有机发光层的非发光区域中形成第二电极;向所述辅助电极、所述辅助电极上的有机发光层和所述第二电极施加过电压(over voltage)。
利用所述绝缘图案,将有机发光层分为形成在非发光区域中的辅助电极上的一部分和形成在缓冲层和第一电极上的另一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的