[发明专利]多晶硅锗合金及其制备方法有效
| 申请号： | 200911000089.7 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101787565A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | L·法布里;M·索芬 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B29/60;H01L31/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 合金 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有0.5m至4m长度且具有25mm至220mm直径的棒，其中，该棒包括由0.1至小于20mol%锗和99.9至80mol%硅构成的合金，该合金沉积在细硅棒上或细硅锗合金棒上，该合金具有多晶结构，所述多晶结构是指该棒包含被晶界彼此分开的单晶，这些单晶具有0.1至100微米之间的平均晶粒尺寸。
2.制备如权利要求1所述的棒的方法，其中，将起始气体引入西门子反应器中并在那里与温度为400℃至1000℃的由细棒构成的基底接触，在细棒上发生来自起始气体的沉积，其中细棒包括硅或者硅锗合金，起始气体包括氢气及由单锗烷和单硅烷组成的混合物，所述混合物的锗含量小于20mol%。
3.如权利要求2所述的方法，其中将起始气体以使硅/锗合金以0.1至1.5mm/h的速率在基底上沉积的量送入西门子反应器中，起始气体的饱和度为0.1mol%至10mol%，单锗烷和单硅烷的总通过量为10至150mol/m2基底面积。
4.权利要求1、2或3所述的棒用于ＦＺ晶体提拉的用途，或者用于在Czochralski法中再填料的用途。
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