[发明专利]不对称复合膜的制备方法

权利要求书

1.一种制备不对称膜的方法，该方法包括：

将含有电子束反应基团的聚合物涂覆在多孔基底膜上以形成涂层；

用高能源辐射所述经涂覆的多孔基底膜；以及

将所述电子束反应基团永久性地接枝到所述多孔基底薄膜上以形成填充膜孔隙的涂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多孔基底膜包括聚乙烯、聚烯烃、聚酰胺、聚酯、聚砜、聚醚、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚丙烯、聚苯砜、聚苯醚、或纤维素聚合物、或它们的两种或多种的组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多孔基底薄膜包括聚偏二氟乙烯、聚(四氟乙烯-共-六氟丙烯)、聚(乙烯-alt-四氟乙烯)、聚三氟氯乙烯、聚(四氟乙烯-共-全氟丙基乙烯醚)、聚(偏氟乙烯-共-六氟丙烯)、和聚氟乙烯、聚四氟乙烯、或它们的两种或多种的组合。

4.根据权利要求1所述的方法，其中聚合物包括聚氧化乙烯或其衍生物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述电子束反应基团包括甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯、丙烯酰胺、乙烯酮、苯乙烯类、乙烯醚、含乙烯基试剂、含烯丙基试剂、苄基、叔-碳基材料、或它们的组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其中用高能源辐射所述经涂覆的多孔基底膜包括将所述经涂覆的多孔基底膜暴露于剂量率为0.1kGy至2000kGy的电子束。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在将所述聚合物涂覆到所述多孔基底膜上之前，将所述聚合物溶解在溶剂或溶剂混合物中。

8.根据权利要求1所述的方法，其中用高能源辐射所述经涂覆的多孔基底膜包括另外的步骤，所述步骤包括将所述经涂覆的膜多次暴露于高能源。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在进行辐射前，干燥所述经涂覆的多孔基底膜。

10.根据权利要求9所述的方法，其中干燥所述经涂覆的多孔膜包括将所述经涂覆的多孔膜加热到低于150摄氏度的温度。