[实用新型]一种合金拼接靶无效
申请号: | 200920010077.1 | 申请日: | 2009-01-09 |
公开(公告)号: | CN201358297Y | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 付广艳;刘群 | 申请(专利权)人: | 沈阳化工学院 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 沈阳技联专利代理有限公司 | 代理人: | 张志刚 |
地址: | 110142辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 合金 拼接 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种镀膜技术,特别是涉及一种可方便快捷的制备不同成分合金膜的合金拼接靶。
背景技术
磁控溅射技术是利用磁场控制辉光放电产生的等离子体来轰击出靶材表面的粒子并使其沉淀到基片表面的一种技术,是当今主流镀膜技术之一。可用于高熔点金属、合金和化合物材料成膜。
在研究合金膜的成分和性能之间的关系时,常常需要制备不同成分的合金膜,进行性能测试,以优化出最佳的合金膜成分。通常是炼制一个成分的合金靶,溅射后就获得相应成分的合金膜,要获得几个成分的合金膜就要炼制几个成分的合金靶,然后分别溅射。这样炼制多个合金靶的成本比较高,同时分别溅射的时间也比较长。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种结构简单的合金拼接靶,采用合金拼接靶可方便快捷的制备不同成分合金膜,使之达到经济适用的使用目的。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的:
一种合金拼接靶,基片对应靶材的不同成分位置分层摆放,其合金拼接靶由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起,构成一个整体平面溅射靶:两个半靶分别加工出台阶,然后搭接一起。
本实用新型的优点与效果是:
本实用新型结构简单,一块拼接合金靶、一次溅射实验便可以在基片上方便、快捷的制备不同成分的合金膜,且经济适用。
附图说明
本实用新型图1为合金拼接靶主视图;
本实用新型图2为合金拼接靶左视图;
本实用新型图3为基片分层摆放示意图。
具体实施方案
根据要获得的合金膜的成分确定合金靶的组元,两个组元或三个组元。一个组元作为合金基体,另一个或两个组元作为合金元素,分别炼制含合金元素低的合金靶半块(A),含合金元素高的合金靶半块(B),将A和B两个半靶加工成厚度相等,且一端有其一半厚度的台阶,然后将两个半块靶拼接成一个整体合金靶如图1、图2。溅射时,基片对应合金靶从低合金靶区到高合金靶区分层摆放,溅射后对应低合金靶区的第一层基片上的膜含合金元素低,对应高合金靶区的第四层基片上的膜含合金元素高,位于中间区域的第二层和第三层基片上膜的成分介于两块靶之间。具体每一层基片上膜的成分通过电子探针等分析确定。
根据要获得的合金膜的成分确定合金靶的组元,两个组元或三个组元。一个组元作为合金基体,另一个或两个组元作为合金元素,分别炼制含合金元素低的合金靶半块(A),含合金元素高的合金靶半块(B),加工后将两个半块靶拼接成一个整体合金靶。溅射时,基片分层摆放。溅射后对应低合金靶区的基片上的膜含合金元素低,对应高合金靶区的基片上的膜含合金元素高,位于中间区域的基片上膜的成分介于两块靶之间。具体每一层基片上膜的成分通过电子探针等分析确定。
由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起,构成一个整体平面溅射靶;两个半靶分别加工出台阶,然后搭接以免水冷板在缝隙处参与溅射影响膜的成分;溅射时基片对应靶材的不同成分位置分层摆放的方法。溅射时采用如图3所示的矩形基片悬挂架,分层悬挂基片2。悬挂架1的尺寸与靶一致,与靶正面相对安装,基片从上到下依次分为第一层、第二层、第三层和第四层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳化工学院,未经沈阳化工学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920010077.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:防盗窗
- 下一篇:边框内套梯锥形芯框木制门
- 同类专利
- 专利分类