[实用新型]一种制备多晶硅薄膜的装置无效
| 申请号： | 200920028480.7 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN201444476U | 公开（公告）日： | 2010-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘丰 | 申请（专利权）人： | 济宁凯伦光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/205;C30B28/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 273517 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 多晶 薄膜 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备多晶硅薄膜的装置，其特征在于，包括一个中转工作室，所述中转工作室分别连接有一个化学气相沉积工作室、一个物理气相沉积工作室和第一加载互锁真空腔体。
2.根据权利要求1所述的一种制备多晶硅薄膜的装置，其特征在于，中转工作室还连接有第二加载互锁真空腔体。
3.根据权利要求1或2所述的一种制备多晶硅薄膜的装置，其特征在于，所述中转工作室内部为真空状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
