[实用新型]一种多晶硅干法腐蚀装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种多晶硅腐蚀装置，尤其涉及一种多晶硅干法腐蚀装置。

背景技术

随着半导体工业的发展，以及半导体器件的高度集成、高容量和高性能的发展，要求在有限的晶片区域上增加集成器件的数量。为了制造高度集成和复杂的半导体器件，在晶片制造工艺中通常使用干法腐蚀技术。腐蚀工艺是硅微波功率晶体管研制、生产的关键工艺，随着器件特征尺寸的不断缩小，干法腐蚀技术的独到优点就越发明显。

干法腐蚀又称干法刻蚀，进行干法腐蚀的化学物质是气体。干法腐蚀分为各向同性和各向异性两种，采用等离子进行刻蚀是各向同性的。在等离子体腐蚀工艺中应该考虑的重要因素是腐蚀图形、子层的选择、腐蚀率和腐蚀均匀性等等，这些主要受腐蚀装置和腐蚀气体特征的影响。但是，采用等离子体的干法腐蚀工艺，无论是电感耦合型还是电容耦合型，都需要一些辅助器件，如：等离子体电源、相匹配器、偏压电源等，从而使元素、原子团、离子等与反应气体以等离子的状态一同存在。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种对多晶硅进行各向同性干法腐蚀的腐蚀装置。本装置能够通过调节处理室内部的的处理环境，例如内部压力、温度等，在不产生等离子体的情况下仅使用反应气体即可达到腐蚀效果。

为了解决上述技术问题，本实用新型通过以下的技术方案予以实现：

一种多晶硅干法腐蚀装置，所述装置包括一个扩散器，所述扩散器的一端连接有相互并联后的腐蚀气源供气装置和载气气源供气装置，所述扩散器的另一端连接于内部设置有载物台的处理室的顶端，所述处理室的壳体外部设置有加热装置，所述处理室连接有真空泵。

所述载物台上设置有至少一个小格。

所述加热装置为加热线圈、加热块或加热灯中的一种。

所述处理室内壁涂覆有铝化物。

所述真空泵为干泵。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过处理室上的加热装置调节处理室中的温度，通过与处理室连接的真空泵调节处理室中的压力条件，将处理室中的反应气体转变为原子团状态。由于处于原子团状态的腐蚀气体具有各向同性的腐蚀特性，处于离子状态的腐蚀气体具有各向异性的腐蚀特性，所以处理室中处于原子团状态的反应气体，就会以各向同性的腐蚀特性来腐蚀晶片的某一部分。这样，可以达到在不产生等离子体的情况下仅使用反应气体，对多晶硅进行各向同性干法腐蚀的目的，减少了部分辅助装置的使用。

附图说明

图1是本实用新型一种实施例的结构示意图。

在图中：腐蚀气源供气装置——1，载气气源供气装置——2，扩散器——3处理室——4，载物台——5，小格——6，加热装置——7，真空泵——8。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细描述：

如图1所示，本实用新型提出一种利用各向同性干法腐蚀的多晶硅腐蚀装置。该装置主要由腐蚀气源供气装置1、载气气源供气装置2、扩散器3和加载有加热装置7和真空泵8的处理室4连接而成。

所述腐蚀气源供气装置1和载气气源供气装置2并联连接在一起，所述腐蚀气源供气装置1用于供应不包括Cl₂的卤素化合物气体和NF₃气体，其中卤素化合物气体具有低结合能，而NF₃气体具有低沸点和高反应性及N-F之间的结合能。所述载气气源供气装置2用于供应载气，例如N₂或者Ar，载气是用来帮助输送腐蚀气体的。

上述两种供气装置并联后的共同输出端连接在扩散器3的一端上。所述扩散器3用于将腐蚀气体和载气混合均匀。所述扩散器3的另一端连接于处理室4的顶端。

所述处理室4内部设置有带有若干小格6的载物台5，所述载物台5用于载装多个晶片。所述处理室4的壳体外部设置有加热装置7，用于升高处理室4温度，使其内部温度保持高于腐蚀气体的沸点。所述加热装置7可以是加热线圈、加热块或加热灯中的一种。所述处理室4还连接有真空泵8，例如干泵，通过真空泵8的工作，使处理室4的气压保持在一定得数值范围内。

所述处理室4内壁涂覆有铝化物，从而防止处理室4的内壁也被腐蚀气体所腐蚀。

尽管上面结合附图对本实用新型的优选实施例进行了描述，但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，并不是限制性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可以作出很多形式的变化，这些均属于本实用新型的保护范围之内。