[实用新型]一种超高频高功率因数节能灯

说明书

技术领域：

本实用新型涉及的是一种节能灯，尤其是一种超高频高功率因数节能灯。

背景技术：

在现有技术中，公知的技术是现有的节能灯的功率输出有限，效率低，在工作过程中产生的热量大，极易烧毁，影响了节能灯的使用寿命，这是现有技术所存在的不足之处。

发明内容：

本实用新型的目的，就是针对现有技术所存在的不足，而提供一种超高频高功率因数节能灯的技术方案，该方案的的节能灯，效率高，频率高。

本方案是通过如下技术措施来实现的：一种超高频高功率因数节能灯，包括有灯管，桥式整流器，本方案的特点是：有第一电容C1和第二电容C2串联后，串接在所述桥式整流器D3的输出端，所述的灯管E的一端与第一电容C1和第二电容C2的连接点处连接，灯管E的另一端通过一电感L、变压器T的初级线圈N与第一mosfet管Q1的源极连接，第一mosfet管Q1的源极和栅极间串联有第一触发二极管D1，第一mosfet管Q1的源极还通过变压器T的第一次级线圈N1、第一电阻R1与第一mosfet管Q1的栅极连接，第一mosfet管Q1的漏极还与桥式整流器D3的正极连接。所述的第一mosfet管Q1的源极与第二mosfet管Q2的漏极连接，第二mosfet管Q2的栅极通过第二电阻R2、变压器T的第二次级线圈N2与第二mosfet管Q2的源极连接，第二mosfet管Q2的栅极通过第二触发二极管D2、第三电容C3与第二mosfet管Q2的源极连接，第二mosfet管Q2的源极还与桥式整流器D3的负极连接，第二触发二极管D2和第三电容C3的连接点通过第三电阻R3与桥式整流器D3的正极连接，另外还有第四电容C4与灯管E并联。

第一电解电容C5的正极与桥式整流器D3的正极连接，第一电解电容C5负极通过第一个二极管D4与桥式整流器D3的负极连接，第二电解电容C6的负极与桥式整流器D3的负极连接，第二电解电容C6的正极通过第二个二极管D5与桥式整流器D3的正极连接，第一电解电容C5的负极还通过第三个二极管D6、第四个二极管D7与第二电解电容C6的正极连接，另外，第三个二极管D6和第四个二极管D7的连接点与第一电容C1和第二电容C2的连接点连接。所述的变压器的磁环为纳米晶加磁磁环。

本方案的有益效果可根据对上述方案的叙述得知，由于在该方案中采用mosfet管为功率器件，具有更大的功率输出，两个mosfet管轮流工作，使得频率较高，有效的消除了节能灯频闪效应，采用了纳米晶加磁磁环，具有更高的温度稳定性。由此可见，本实用新型与现有技术相比，具有实质性特点和进步，其实施的有益效果也是显而易见的。

附图说明：

图1为本实用新型具体实施方式的电路图。

具体实施方式：

为能清楚说明本方案的技术特点，下面通过一个具体实施方式，并结合其附图，对本方案进行阐述。

通过附图可以看出，本方案的超高频高功率因数节能灯，包括有灯管，桥式整流器，本方案的特点是：有第一电容C1和第二电容C2串联后，串接在所述桥式整流器D3的输出端，所述的灯管E的一端与第一电容C1和第二电容C2的连接点处连接，灯管E的另一端通过一电感L、变压器T的初级线圈N与第一mosfet管Q1的源极连接，第一mosfet管Q1的源极和栅极间串联有第一触发二极管D1，第一mosfet管Q1的源极还通过变压器T的第一次级线圈N1、第一电阻R1与第一mosfet管Q1的栅极连接，第一mosfet管Q1的漏极还与桥式整流器D3的正极连接。所述的第一mosfet管Q1的源极与第二mosfet管Q2的漏极连接，第二mosfet管Q2的栅极通过第二电阻R2、变压器T的第二次级线圈N2与第二mosfet管Q2的源极连接，第二mosfet管Q2的栅极通过第二触发二极管D2、第三电容C3与第二mosfet管Q2的源极连接，第二mosfet管Q2的源极还与桥式整流器D3的负极连接，第二触发二极管D2和第三电容C3的连接点通过第三电阻R3与桥式整流器D3的正极连接，另外还有第四电容C4与灯管E并联。

第一电解电容C5的正极与桥式整流器D3的正极连接，第一电解电容C5负极通过第一个二极管D4与桥式整流器D3的负极连接，第二电解电容C6的负极与桥式整流器D3的负极连接，第二电解电容C6的正极通过第二个二极管D5与桥式整流器D3的正极连接，第一电解电容C5的负极还通过第三个二极管D6、第四个二极管D7与第二电解电容C6的正极连接，另外，第三个二极管D6和第四个二极管D7的连接点与第一电容C1和第二电容C2的连接点连接。所述的变压器的磁环为纳米晶加磁磁环。

使用时，高频电流的一部分经过C1、C2返回电源，另一部分经过D6、D7整流，由C1、C2滤波，形成正负两个辅助电压，经由D4、D5与桥式整流器D3的脉动直流电压叠加，形成一个波峰比比较小的供电电源为灯管及mosfet管供电，由于高频电流得到再生利用，所以电路工作效率较高；mosfetQ1、Q2组成有源半桥支路，电容C1、C2组成无源半桥支路，半桥的中点电压为直流的一半，灯管E与电感L串联，与C4并联跨接在两个半桥的中点间；电路加电后，直流电压经R3为电容C3充电，当电压达到并超过触发二极管D2的转折电压后，二极管D2导通，有电压加到Q2的栅极，Q2导通，Q2源极电流的增长，在变压器T的初级线圈N上产生感应电动势，同时在其次级线圈N1、N2上也产生感应电动势，其同名端如图所示，从而使Q2的栅极电位升高，栅极电压、源极电流进一步加大，当Q2电流增加使得变压器T磁环趋向饱和时，各绕组的感应电动势下降，变压器T磁环中将产生与原来极性相反的电动势，从而使Q1的栅极电位上升，Q2源极电流增加，流过电感L的电流与Q1导通时的电流方向相反，上述过程周而复始的重复，在电路中产生振荡。