[实用新型]一种大功率半导体激光器有效
| 申请号： | 200920031648.X | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN201402912Y | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 刘兴胜 | 申请（专利权）人： | 西安阿格斯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/022;H01S5/40 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 710119陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 半导体激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率半导体激光器，包括铜支撑块(1)、正极铜片(4)、负极铜片(9)和芯片(5)，其特征在于：所述铜支撑块(1)的一边侧面上设有台阶(12)，铜支撑块(1)两端还各设有一个凸台(11)，所述凸台(11)上垂直开设有螺孔(2)，所述芯片(5)的正极面与陶瓷片(3)上侧面的中部焊接，陶瓷片(3)的下侧面贴在铜支撑块(1)的两凸台(11)之间，所述正极铜片(4)和负极铜片(9)的内端分别焊接有正极陶瓷片(7)和负极陶瓷片(6)，所述正极陶瓷片(7)和负极陶瓷片(6)分别焊接在铜支撑块(1)的台阶(12)上，所述芯片(5)的负极贴有铜连接片(8)，所述铜连接片(8)的一端还与正极铜片(4)的一端贴合，所述陶瓷片(3)与负极铜片(9)间采用金丝(10)压焊。
2.根据权利要求1所述的单管大功率半导体激光器，其特征在于：所述陶瓷片(3)的上下两面均镀有金层，所述金层厚度为2-5微米。
3.根据权利要求1所述的单管大功率半导体激光器，其特征在于：所述芯片(5)为单管芯片、微型巴条或者由多个单管芯片并联组成。
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