[实用新型]一种新型的高压MOS管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种高压MOS管。

背景技术

MOSFET是一种较理想的开关器件，它具有开关速度快，功耗小，易驱动等优点，适用于高频低功耗电子产品。以前类似的产品技术被国外大公司所掌握，国内企业不能做到量产。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种新型的高压MOS管，具有和国外同类产品同样品质，但成本更低，能够控制产品质量和稳定产品成品率，并且能达到量产要求。

一种新型的高压MOS管，包括漏极区域，N+衬底区域，N-漂移区域，P-阱区域，P+区域，N+有源区域，源极区域，栅极区域，其特征是在N-漂移区域的上部设有JFET区域，P-阱区域具有浅结深，栅极区域是短栅极。

有益效果

本实用新型结构特征是：P阱结深比现有技术的MOSFET浅，并且有JFET结构。这种结构的优点如下：

a)浅结工艺使得导通电阻减小(区域4)；

b)相同外延材料规格下耐压效率高(区域9)；

c)相同导通电阻下可以减小管芯面积降低成本；

d)栅电荷(Qg)更小，开关速度更快(区域8)；

e)由结构特点能够实现P+自对准工艺，使得参数均匀性更高；

在工艺上本实用新型采用VDMOS技术，能够精确控制沟道长度，并容易获得理想的击穿电压。结终端技术的设计，采用场板、分压环、截止环结构，以提高反向击穿特性。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

具体实施方式

本实用新型公开了一种新型的高压MOS管，它采用了VDMOS技术，如图1所示。区域1为漏极，区域2为N+衬底，区域3为N-漂移区，区域4为P-阱，P阱结深比现有技术的MOSFET浅，区域5为P+区，区域6为N+有源区，区域7为源极，区域8为短栅极，在N-漂移区域的上部设有JFET区域。

JFET结构的MOSFET产品由于其工艺复杂，生产环节控制严格，设备要求高，所以只有少数国际知名半导体公司拥有该项技术。由于该项技术加大了元胞密度，使芯片面积大大缩小，降低了产品成本。

本实用新型产品能满足例如手机充电器等大电压小电流驱动电路的要求。