[实用新型]脉宽信号占空比检测器

权利要求书

1.一种脉宽信号占空比检测器，其特征是：

A、具有一个可提供两路充电电流的电流源镜像电路(1)；

B、具有一个电容充放电电路(2)，该电容充放电电路由第一电容(C11)的充电支路和第二电容(C22)充电支路，该两个充电支路分别接在所述电流源镜像电路的两个电流输出端上，在所述第一电容的充电支路上串接一个的电子开关K3，用于控制第一电容的充电，该电子开关K3的控制端与被检脉宽信号(PWM)的输入端相接，在所述的第一电容(C11)和第二电容(C22)上分别设有一个旁路放电支路，并在该两个旁路放电支路上各串接一个电子开关K1、K2，用于分别控制第一电容和第二电容的放电；

C、具有一个除法器(3)，所述的第一、第二电容(C11、C22)的充电正极分别与该除法器(3)的两个输入端相接，所述除法器的输出端为检测输出端引出；

D、具有一个脉宽信号的上升沿检测电路(4)，该上升沿检测电路的输入端与被检脉宽信号(PWM)的输入端相接，其输出端分别与第一电容和第二电容旁路放电支路上的电子开关K1、K2的控制端相接。

2.根据权利要求1所述的脉宽信号占空比检测器，其特征是：所述脉宽信号的上升沿检测电路由推挽式连接的PMOS晶体管(MP1)和NMOS晶体管(MN1)、一个电流源(Id)、一个电容(C33)、一个迟滞比较器(X1)、一个反向器(X2)和一个与门(X3)连接构成，所述的PMOS晶体管(MP1)和NMOS晶体管(MN1)的控制极作为该上升沿检测电路的信号输入端与被测脉宽信号(PWM)的输入端相接，所述的电流源(Id)串接在NMOS晶体管(MN1)的源极上，所述的电容(C33)并联在PMOS晶体管(MP1)和NMOS晶体管(MN1)的漏极与参考地之间，所述电容(C33)的正极与迟滞比较器(X1)的输入端相连，所述迟滞比较器(X1)的输出端通过非门(X2)和与门(X3)的一个输入端相连，所述与门(X3)的另一个输入端与被测脉宽信号(PWM)的输入端相接，所述与门(X3)的输出端作为上升沿检测电路的输出端分别与充放电电路(2)中电子开关K1、K2的控制端相接。