[实用新型]触摸屏用高透过率导电玻璃无效
申请号: | 200920037427.3 | 申请日: | 2009-02-13 |
公开(公告)号: | CN201343500Y | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 冯新伟 | 申请(专利权)人: | 江苏津通先锋光电显示技术有限公司 |
主分类号: | C03C17/34 | 分类号: | C03C17/34;G06F3/045 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213161江苏省常州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触摸屏 透过 导电 玻璃 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种触摸屏用高透过率导电玻璃。
背景技术
氧化铟锡导电玻璃,即ITO导电玻璃,尤其是采用平面磁控溅射技术沉积的ITO导电玻璃,自上世纪九十年代以来,主要应用在液晶显示器行业的液晶面板玻璃和冰柜镀膜玻璃方面,而触摸屏用的ITO导电玻璃,是触摸屏面板的基础材料,其对面电阻和透过率的要求比液晶显示器用的ITO导电玻璃有着更高的要求,通常面电阻要求为150Ω/口,透过率在89%以上,它是在超薄浮法玻璃上,在高真空环境下,用平面磁控溅射技术在玻璃表面沉积ITO纳米薄膜,从而得到透过率高、均匀性好的玻璃;而高透过率玻璃,以前主要应用于光学行业,采用在高真空条件下,在玻璃上进行热蒸发镀膜或激光枪轰击镀膜,其镀膜应用面积小,所用材料一般为氟化镁、二氧化钛、二氧化硅等,薄膜厚度较厚,均匀性要求较低,当然由于使用场合的要求,这类玻璃都不需要有ITO导电层,但氟化镁却是一种不能使用磁控溅射技术完成的材料,与ITO材料有冲突,二氧化钛也是一种磁控溅射不稳定,且溅射速率太低的材料,不利于大批量大尺寸的镀膜,因此要获得高透过率的导电玻璃,既要解决提高透过率的光学问题,又要解决介质层与ITO导电层的匹配问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是:提供一种显示效果清晰、可见光透过率高且导电性能好的触摸屏用高透过率导电玻璃。
本实用新型实现其目的所采用的技术方案是:一种触摸屏用高透过率导电玻璃,包括玻璃基片,玻璃基片表面依次设置有二氧化硅镀膜层和氧化铟锡镀膜层,二氧化硅镀膜层位于内层,氧化铟锡镀膜层位于外层,在玻璃基片和二氧化硅镀膜层之间设置有五氧化二铌镀膜层。
具体说,所述的二氧化硅镀膜层的厚度为78~98nm,氧化铟锡镀膜层的厚度为9~11nm,五氧化二铌镀膜层的厚度为15~18nm。
本实用新型的有益效果是:本实用新型选择成膜折射率较为稳定的五氧化二铌和二氧化硅作为光学增透的介质层,利用五氧化二铌和二氧化硅良好的绝缘性和稳定的折射率,可使导电玻璃的可见光透过率提高到94%以上,也解决了介质层与ITO导电层的匹配问题。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图中1.玻璃基片 2.二氧化硅镀膜层 3.氧化铟锡镀膜层4.五氧化二铌镀膜层
具体实施方式。
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1所示的一种触摸屏用高透过率导电玻璃,包括玻璃基片1,在玻璃基片1表面依次设置有二氧化硅镀膜层2和氧化铟锡镀膜层3,二氧化硅镀膜层2位于内层,氧化铟锡镀膜层3位于外层,在玻璃基片1和二氧化硅镀膜层2之间设置有五氧化二铌镀膜层4,其中二氧化硅镀膜层2的厚度为78~98nm,氧化铟锡镀膜层3的厚度为9~11nm,五氧化二铌镀膜层4的厚度为15~18nm。
通常来说,要提高导电玻璃的可见光透过率,介质层膜的选择是关键,只有选择合理的介质层膜,才可利用光学原理,使各介质层膜之间相互干涉,并使各介质层膜界面的反射光与入射光相互抵消,从而提高可见光的透过率,降低可见光的反射率,在此,本实用新型选择成膜折射率较为稳定的五氧化二铌和二氧化硅作为光学增透的介质层,并且五氧化二铌和二氧化硅均具有良好的绝缘性和稳定的折射率,与ITO材料的磁控溅射可一次制造完成,对面电阻也无明显的影响,因此在保证导电性能的前提下,可使导电玻璃的可见光透过率提高到94%以上,显示效果也更为清晰。
以上述依据本实用新型的实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本实用新型技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
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