[实用新型]新型孤岛型再布线芯片封装结构

权利要求书

1、一种新型孤岛型再布线芯片封装结构，其特征在于所述芯片封装结构包括芯片本体(101)、芯片电极(102)、芯片表面钝化层(103)、孤岛应力缓冲层(104)、再布线金属层(105)、再布线金属表面保护层(106)和应力缓冲层上焊料凸点(107)，所述芯片电极(102)设置在芯片本体(101)上，芯片表面钝化层(103)复合在芯片本体(101)表面以及芯片电极(102)外缘和表面外周边，而芯片电极(102)表面的中间部分露出芯片表面钝化层(103)，所述孤岛应力缓冲层(104)设置在芯片表面钝化层(103)上，所述再布线金属层(105)覆盖在芯片表面钝化层(103)表面、露出芯片表面钝化层(103)的芯片电极(102)表面中间部分以及孤岛应力缓冲层(104)的表面，所述再布线金属表面保护层(106)覆盖在再布线金属层(105)的表面，且露出孤岛应力缓冲层(104)顶部上方中间部分的凸点下金属层(105A)，所述应力缓冲层上焊球凸点(107)凸出设置在所述凸点下金属层(105A)表面。

2、根据权利要求1所述的一种新型孤岛型再布线芯片封装结构，其特征在于所述孤岛应力缓冲层(104)全部被再布线金属层(105)所覆盖。

3、根据权利要求1所述的一种新型孤岛型再布线芯片封装结构，其特征在于所述孤岛应力缓冲层(104)一侧侧壁不被再布线金属层(105)所覆盖，其余均被再布线金属层(105)所覆盖。

4、根据权利要求1、2或3所述的一种应用于圆片级封装中的低应力再布线芯片封装结构，其特征在于所述孤岛应力缓冲层(104)一侧侧壁部分不被再布线金属层(105)所覆盖，其余均被再布线金属层(105)所覆盖。

5、根据权利要求1、2或3所述的一种新型孤岛型再布线芯片封装结构，其特征在于所述孤岛应力缓冲层(104)为高分子绝缘材料。

6、根据权利要求5所述的一种新型孤岛型再布线芯片封装结构，其特征在于所述高分子绝缘材料为聚酰亚胺或环氧树脂。

7、根据权利要求1、2或3所述的一种新型孤岛型再布线芯片封装结构，其特征在于所述再布线金属层(105)为单层或多层金属材料。