[实用新型]复合型闪存固态盘有效
申请号: | 200920039592.2 | 申请日: | 2009-04-17 |
公开(公告)号: | CN201527801U | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 庄志青;黄明 | 申请(专利权)人: | 常州南基天盛科技有限公司;苏州亮智科技有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G06F13/16 |
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地址: | 213014 江苏省常州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合型 闪存 固态 | ||
1.一种复合型闪存固态盘,包括通过闪存总线连接的至少一个微处理器,至少一个主机接口,至少一个内部缓存,多个闪存控制器和闪存芯片阵列,闪存阵列被分成数行数列,不同闪存控制器控制不同的闪存列,而每个闪存控制器用一个共享的闪存总线,通过芯片片选控制这列之内的所有行闪存芯片,其特征在于:所述闪存芯片的阵列是N列M+P行的结构,M,N,P皆为自然数,其中N列M行闪存芯片由MLC闪存芯片组成,第M+1行至第M+P行由SLC闪存芯片组成。
2.根据权利要求1所述的复合型闪存固态盘,其特征在于:所述闪存芯片的阵列为N列M+1行,N列M行闪存芯片由MLC闪存芯片组成,第M+1行由SLC闪存芯片组成。
3.根据权利要求1或2所述的复合型闪存固态盘,其特征在于:所述N列M行的MLC闪存芯片作为用户区存储用,其余SLC闪存芯片作为系统区存储用。
4.根据权利要求1或2所述的复合型闪存固态盘,其特征在于:所述N列M行的MLC闪存芯片使用连续的低位地址空间,其余SLC闪存芯片使用连续的高于低位地址的高位地址空间。
5.根据权利要求4所述的复合型闪存固态盘,其特征在于:所述由MLC闪存组成的256G字节阵列保留在低256G字节地址,由SLC闪存组成的区域被映射到高于256G字节的地址。
6.根据权利要求4所述的复合型闪存固态盘,其特征在于:所述的闪存芯片的行数与列数为2的指数次幂。
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