[实用新型]一种加膜硅基太阳能电池无效
申请号: | 200920041473.0 | 申请日: | 2009-03-31 |
公开(公告)号: | CN201638824U | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 吴国强 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0216 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 加膜硅基 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其是一种加膜硅基太阳能电池。
背景技术
目前Si太阳能电池产品基本采用Al背场技术。方法为:电池片背面印刷上适量的铝浆料,干燥固化之后,通过高温处理及降温过程利用Al-Si合金的固溶比例实现合金背面钝化,在实现合金背面钝化的同时实现对合金层附近的Si的p型重掺杂化并同时达到对Si片的吸杂效果。这项技术对电池的性能提高起到重要的作用。
然而目前由于低厚度Si电池的市场要求,Al背浆料开始做出调整以满足电池片低应力曲度及高附着力的要求。但实际中往往未能很好的照顾好附着力的要求,使得其背面粗糙度提高,虽然Al-Si合金层与硅片良好结合保证了电池性能,但Al背膜外部由于浆料组成及烧制原因,结合度不够,其颗粒易脱落。
实用新型内容
为了克服上述缺陷,本实用新型通过铝背面添加膜来解决其颗粒易脱落的技术问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种加膜硅基太阳能电池,具有电池主体,电池主体背场涂覆有一层铝层,铝层背面设置有一层辅助增加膜。
进一步,辅助增加膜为无机膜,包括Al2O3膜、MgO膜和SiO2膜。
进一步,辅助增加膜为有机膜,如PVA膜。
本实用新型的有益效果是,通过对铝背场硅电池的背面添加背膜,对低厚度硅晶太阳能电池保证正常性能不受影响的基础上,可在一定程度上加强铝背膜上颗粒的整体性,减弱背膜的颗粒易脱落现象,同时对电池性能及其他结构不产生改变。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图;
其中:1、电池主体,2、铝层,3、辅助增加膜。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1所示,一种加膜硅基太阳能电池,具有电池主体1,电池主体1背场涂覆有一层铝层2,铝层2背面设置有一层辅助增加膜3,辅助增加膜3为无机膜或有机膜,包括Al2O3膜、MgO膜和SiO2膜或PVA膜。
本实用新型在正常工艺进程实现产品结构的基础上,保证Al背场良好的性能提升作用完成之后,在非高温并非破坏原电池结构性能,及电极的完整基础上在背面添加一层辅助增加膜,实现背面颗粒的一体化及光洁度提高。
实施例一
电池片制备完成之后,对铝层2的电极部分镀前掩盖,通过等离子体化学气相淀积技术沉积一层较厚无机膜,如500nm的Al2O3膜、MgO膜和SiO2膜。
实施例二
电池片制备完成之后,对铝层2的电极部分镀前掩盖,利用印刷、旋涂或电纺技术加涂一层有机膜,如1微米厚的PVA膜,在100℃左右较低温度热处理固化。
实施例三
电池铝层2背面印刷之后,采用相同的印刷模板加印一层无机玻璃体浆料,如SiO2为主的玻璃类微纳米颗粒浆料,避开电极部分,再做正面电极印刷及统一的高温烧制等电池步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的