[实用新型]SF6绝缘真空分界开关柜有效
申请号: | 200920042602.8 | 申请日: | 2009-06-24 |
公开(公告)号: | CN201417899Y | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 唐祥春;吴伟 | 申请(专利权)人: | 江苏宜源诺成电气有限公司 |
主分类号: | H02B13/075 | 分类号: | H02B13/075;H02B13/035 |
代理公司: | 镇江京科专利商标代理有限公司 | 代理人: | 夏哲华 |
地址: | 212213*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | sf sub 绝缘 真空 分界 开关柜 | ||
技术领域
本实用新型涉及高压配电设备,特别是一种SF6绝缘真空分界开关柜。
背景技术
普通的高压真空开关柜一般包括有安装在柜体内的真空断路器、隔离开关、电流互感器、电压互感器等元件,现有的真空开关柜大多数采用空气绝缘,柜型尺寸都比较大,一般真空断路器与隔离开关各自独立地安装在柜体内的不同仓室中,组合时再用导体连接,带电体裸露,受空气、灰尘的侵蚀,易造成带电体的腐蚀,降低了绝缘等级,寿命短。而现有的用SF6作为绝缘及灭弧介质的开关柜,其负荷开关触头处于开放状态,在开断中产生的电弧容易污染和损坏柜内的电器元件,影响开关整机性能;另外,由于SF6气体还承担着灭弧的任务,需要有较高的气压,对开关仓室的密封要求高,从而提高了设备制造成本;并且,其传动机构较为复杂,运动部件多,故障率较高。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种结构简单、体积小、性能稳定、使用寿命长,制造和维护成本较低的SF6绝缘真空分界开关柜。
本实用新型的SF6绝缘真空分界开关柜包括有一个柜体,在柜体内的后上部设置有一个全密封的填充有SF6气体的气箱,气箱内安装有位于中部的真空断路器、位于真空断路器上方的隔离开关和位于箱体底部的接地开关,主母线排与隔离开关静触头连接,气箱下部的前壁板上安装有出线套管,电流互感器套装在出线套管上;在柜体内的前上部安装有隔离开关操作机构和真空断路器的弹簧操作机构;在柜体内的下部安装有电压互感器。
所述气箱内、外的气体压力差为零。
所述真空断路器的每一相灭弧室组件分别被罩在一个绝缘盒内。
本实用新型的优点是:柜内所有高压带电部分全部密封在SF6气箱内,不受环境影响,真正实现免维护;采用真空灭弧,SF6气体绝缘,其故体积小,开断性能好、可靠性高,开断中电弧不外露,不会污染和损害柜里的电器元件;由于SF6气体不参与灭弧,无需较高的压力,可以采用与外界大气压力相当的压力,降低了密封难度,也降低了制造成本;采用绝缘盒对各相灭弧室组件进行隔离,加大了爬电距离,提高了绝缘等级。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是图1的侧面剖视结构示意图;
图3是一相绝缘盒及灭弧室组件的结构示意图。
具体实施方式
附图中标记包括:柜体1、气箱2、主母线排3、隔离开关4、真空断路器5、灭弧室组件51、绝缘盒52、出线套管6、电流互感器7、接地开关8、隔离开关操作机构9、弹簧操作机构10、电压互感器11。
如图所示,全密封的气箱2安装在柜体后上部,隔离开关操作机构9和真空断路器的弹簧操作机构10安装在柜体前上部,电压互感器11安装在柜体下部。气箱2内充有常压的SF6气体,真空断路器5位于气箱中部,真空断路器5的各相灭弧室组件51分别被罩在一个绝缘盒52内,真空断路器的上、下方分别安装隔离开关4和接地开关8,出线套管6安装在气箱2下部的前壁板上,一体式的电流互感器7套装在出线套管6上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏宜源诺成电气有限公司,未经江苏宜源诺成电气有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920042602.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种合金耐磨截齿
- 下一篇:电表红外接收/发射指示灯支柱
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法