[实用新型]高Q值低损耗半模基片集成波导滤波器

权利要求书

1.一种高Q值低损耗半模基片集成波导滤波器，其特征在于该滤波器为多层结构，自上至下分别为正面金属贴片(3)、上层介质基片(1)、中间金属层(4)、下层介质基片(2)、底层金属层(5)；在半模基片集成波导滤波器的两端分别设有输入端(8)和输出端(9)，在半模基片集成波导滤波器的上层介质基片(1)和下层介质基片(2)的一侧设有一排第一金属化通孔(7)构成半模基片集成波导滤波器的侧壁，并连接正面金属贴片(3)、中间金属层(4)和底层金属层(5)；在下层介质基片(2)的另一侧有另一排第二金属化孔(6)连接中间金属层(4)和底层金属层(5)构成半模基片集成波导滤波器的H面金属壁；在半模基片集成波导滤波器正面金属贴片(3)或中间金属层(4)上设有槽缝(10)。

2.根据权利要求1所述的高Q值低损耗半模基片集成波导滤波器，其特征在于所述的正面金属贴片(3)的平面为“U”形的结构，槽缝(10)设在正面金属贴片(3)时，槽缝(10)设在该“U”形的结构内的底部，槽缝(10)有多个，位于中间的槽缝最大，位于中间槽缝两侧的其它槽缝依次减小。

3.根据权利要求1所述的高Q值低损耗半模基片集成波导滤波器，其特征在于所述的中间金属贴片(4)的平面为上大下小的梯形结构，槽缝(10)设在中间金属层(4)时，槽缝(10)设在中间金属层(4)的梯形结构上侧，槽缝(10)有多个，位于中间的槽缝最大，位于中间槽缝两侧的其它槽缝依次减小。