[实用新型]照明LED高效散热光源基板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种照明LED高效散热光源基板。

背景技术

将多个LED裸芯片集成在一个线路板上称为集成芯片。无论是单电极LED裸芯片、双电极LED裸芯片还是倒装LED裸芯片均可应用在LED集成芯片上。LED集成芯片中常用到铝基板，现有的照明LED铝基板由金属铝或铝合金作为衬底，在上面涂覆有机物或无机物导热绝缘层，在导热绝缘层上再覆盖铜箔。由于其导热绝缘层能耐高压(＞1500V/min)及衬底散热性较佳，所以被广泛应用在LED领域。其应用方式为在铝基板上按照传统单层印刷线路板的制造方式将铜箔用丝网印刷及蚀刻方式形成电路，再将防焊层覆盖在铝基板上，仅裸露出需要焊接部位的铜箔即成。这种采用传统方式制造的铝基板，由于其使用工艺精度较差，难以精确控制导热绝缘层的厚度，为了保证其耐压性能，必须对导热绝缘层的厚度留有较大余量，一般导热绝缘层的厚度在80～100μm，因此导热绝缘层的厚度较大，其导热及散热效果因此大大降低。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种成本低、散热效果好、精确度高的照明LED高效散热光源基板。

本实用新型所采用的技术方案是：本实用新型照明LED高效散热光源基板包括金属基板，所述金属基板的上表面沉积有导热绝缘层，所述导热绝缘层上设有金属层，所述金属层的上表面除焊点、芯片及打线预留位置外的其余部分覆盖有防焊层，所述导热绝缘层由二氧化硅层或氮化硅层或二氧化硅层与氮化硅层组合构成，所述金属层根据待装的LED裸芯片的串并联连接关系构成预先设定的电路连线及图形。

所述金属层引出阳极接点和阴极接点。

所述金属基板为铝基板或铜基板。

所述金属基板的厚度为1～3mm。

所述导热绝缘层的耐压值大于1500V/min或3500V/min。

所述金属层的上表面为反光面，所述金属层采用铜或铝或硅铝合金制造，所述金属层的厚度为1～5μm。

本实用新型的有益效果是：由于本实用新型包括金属基板，所述金属基板的上表面沉积有导热绝缘层，所述导热绝缘层上设有金属层，所述金属层的上表面除焊点、芯片及打线预留位置外的其余部分覆盖有防焊层，所述导热绝缘层由二氧化硅层或氮化硅层或二氧化硅层与氮化硅层组合构成，所述金属层根据待装的LED裸芯片的串并联连接关系构成预先设定的电路连线及图形，本实用新型通过集成电路的制造工艺在所述金属基板上沉积所述导热绝缘层及所述金属层，由于集成电路的工艺精度高，使得导热绝缘层的厚度可以精确控制，在满足耐高压的情况下，可尽量减少所述导热绝缘层的厚度，本实用新型的导热绝缘层的厚度可在10μm之内，仅为传统单层线路板的制造方法形成的导热绝缘层厚度的几分之一，甚至几十分之一，同时集成电路工艺中采用的导热绝缘层的材料二氧化硅及氮化硅的导热系数高，使得本实用新型导热绝缘层的导热性能优异，整体平均导热系数是传统铝基板的导热系数的80～100倍，因此导热性大大提高，因此能够减少散热基板的尺寸，有利于光源的小型化，同时为将LED裸芯片与光源基板集成于一体作为一个独立的光源提供了良好的基础，只通过一次封装就能够实现LED裸芯片之间的串并联组合关系，直接接于驱动电路就可以发光工作，简化了工艺步骤，节省了半导体材料，节约了成本，使得生产效率大幅提高，由于本实用新型的导热散热性能好，因此能够延长光源的LED裸芯片的使用寿命，故本实用新型成本低、散热效果好、精确度高。

附图说明

图1是采用本实用新型实施例的照明LED高效散热光源基板的光源的正面结构示意图；

图2是图1所示I处局部放大结构示意图；

图3是图2所示的B-B断面结构示意图；

图4是本实用新型实施例的照明LED高效散热光源基板的断面结构示意图；

图5、图6是本实用新型实施例照明LED高效散热光源基板的制造方法中步骤(b)过程的断面结构示意图；

图7、图8是本实用新型实施例照明LED高效散热光源基板的制造方法中步骤(c)过程的断面结构示意图。

具体实施方式

如图1～图4所示，采用本实施例的照明LED高效散热光源基板的光源为一应用于220V交流电的工矿灯的光源，包括LED裸芯片1及本实施例的光源基板。