[实用新型]氮化镓基大功率芯片散热结构无效
| 申请号： | 200920060270.6 | 申请日： | 2009-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN201438472U | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 张珠文;袁富胜;李宏彦;王维昀 | 申请（专利权）人： | 东莞市福地电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/32;H01S5/024 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 梁永宏 |
| 地址： | 523082 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 大功率 芯片 散热 结构 | ||
【权利要求书】：
1.氮化镓基大功率芯片散热结构，包括三氧化二铝衬底层和氮化镓外延层，氮化镓外延层设置在三氧化二铝衬底层的上面，氮化镓外延层由P型氮化镓子层和N型氮化镓子层组成，P型氮化镓子层位于N型氮化镓子层的上方，其特征在于，三氧化二铝衬底层的下面设置有散热金属层。
2.根据权利要求书1所述的氮化镓基大功率芯片散热结构，其特征在于，所述散热金属层通过导电金属块与N型氮化镓子层连接。
3.根据权利要求书2所述的氮化镓基大功率芯片散热结构，其特征在于，P电极金丝焊接在所述P型氮化镓子层。
4.根据权利要求书2所述的氮化镓基大功率芯片散热结构，其特征在于，所述P型氮化镓子层上面设置有透明导电层，P电极金丝焊接在透明导电层。
5.根据权利要求书4所述的氮化镓基大功率芯片散热结构，其特征在于，所述透明导电层通过一次性蒸镀固定在所述P型氮化镓子层的上面。
6.根据权利要求书2至5任意一项所述的氮化镓基大功率芯片散热结构，其特征在于，所述散热金属层通过一次性蒸镀固定在所述三氧化二铝衬底层的下面。
7.根据权利要求书6所述的氮化镓基大功率芯片散热结构，其特征在于，所述导电金属块通过一次性蒸镀固定在所述三氧化二铝衬底层的侧面。
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