[实用新型]排气装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造装置领域，尤其涉及一种用于半导体制造的排气装置。

背景技术

半导体器件栅氧化层的制造设备在半导体制造过程中广泛应用，由于在栅氧化层制作过程中会产生大量需要排出的气体，因此该设备的排气方案一直受到重视。现有排气方案为：该设备的排气口连接至排气管，排气管再连接至含有金属零件的控制阀，且该控制阀连接至集成电路制造厂的排气系统。排气时，需要给排气管一定的负压差，并打开控制阀，使得该栅氧化层制造设备内的气体顺次经过排气管及控制阀进入排气系统排出，在排出气体后，再将控制阀关闭。

栅氧化层制作过程中有时会用到腐蚀性极强的气体，例如二氯乙烷(DCE，C₂H₂CL₂)等。通过上述排气方案对使用后需要排出的腐蚀性气体排出时，该腐蚀性气体将与控制阀中的金属零件发生反应，反应后含有金属离子等杂质的气体。当控制阀关闭后，由于排气管存在负压差的原因，会有部分残留腐蚀气体反应后含有金属离子等杂质的气体通过排气管回流入栅氧化层制造设备，从而严重污染该设备内的晶圆，大大降低制造良率

实用新型内容

本实用新型提供一种排气装置，以防止晶圆污染，提高制造良率。

为解决上述问题，本实用新型提供了一种排气装置，包括排气管和控制阀，所述排气管和所述控制阀相连，在所述排气管和控制阀之间设置有一连接阀。

进一步的，所述连接阀为单向阀。

进一步的，所述连接阀材质为耐腐蚀材料，较佳的，所述连接阀材质为铁氟龙。

进一步的，还包括栅氧化层制造设备的排气口，其中该排气口连接至排气管。

与现有排气装置相比，本实用新型提供的排气装置具备单向连接阀，能够避免在控制阀关闭后，阻止需要排出的部分残余腐蚀性气体及生成的反应后气体从排气管回流进入栅氧化层制造设备，严重污染该设备中的晶圆的问题，从而提高了制造良率。该排气装置制作简单，效果显著，具有广泛的使用价值。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的排气装置的结构示意图。

具体实施方式

图1为本实施例提供的排气装置的结构示意图，其中栅氧化层制造设备1的排气口(图中未示出)连接至排气管2，排气管2连接至单向连接阀4，单向连接阀4连接至控制阀3，控制阀3连接至制造厂外部厂务的排气系统5。

本实施例中，在晶圆完成衬底工艺后，需在衬底上进行栅氧化层生长工艺。则可先将晶圆放置在栅氧化层制造设备1内，并通入气体与晶圆发生反应；再在反应完成后，将栅氧化层制造设备1内的残余气体抽走，并进行残余气体排出的后续处理。

由于制造厂外部厂务的的压力是一直小于栅氧化层制造设备1的压力，因此只要控制阀3打开，就会把气体抽走，过程包括：

栅氧化层制造设备1中的残余气体顺次流入排气管2、单向连接阀4及控制阀3，再进入排气系统5排出；

在排出气体后，关闭控制阀3。

通过上述方案，当控制阀3及单向连接阀4打开时，所述排气系统5能够通过所述排气管2抽走栅氧化层制造设备1内的残余气体；当关闭控制阀3时，由于单向连接阀4单向开通的特性，上述与控制阀3内金属零件发生反应生成的反应后气体就无法通过单向连接阀4进入与栅氧化层制造设备1连接的排气管2，进而无法流入栅氧化层制造设备1，从而避免栅氧化层制造设备1中晶圆受其污染。

此外为了防止单向连接阀4与流经自身的需要排出的气体发生化学反应，较佳的单向连接阀4的材质可以选择各种耐腐蚀性材质。本实施例中，所述耐腐蚀材料选择为铁氟龙(Teflon)。

上述方案中，排气装置内仅设置了一个单向连接阀4，实际可以设置多个单向连接阀4，以防止在某个单向连接阀4损坏时，可以采用其它单向连接阀4来继续排气。

另外，上述排气装置内包括了排气管2、单向连接阀4及控制阀3，但栅氧化层制造设备1的排气口实际也可以包括在排气装置内，则此时的排气装置就可专用于栅氧化层制造设备1，防止由于栅氧化层制造设备1的排气口尺寸与排气管2尺寸不符、或两者连接不密封使得需要排出的气体从排气口泄漏等问题，提高了排气可靠性。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。