[实用新型]晶圆清洗装置有效
| 申请号： | 200920068235.9 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN201369318Y | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 苏晓平;江彤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B3/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 装置 | ||
1.一种用于半导体晶圆单面清洗的清洗装置，其特征在于，包括：
基板，所述基板用于无接触地承载位于其上方的被清洗晶圆；
多个位于所述基板上的喷液装置，所述多个喷液装置用于向所述基板上的所述被清洗晶圆的被清洗表面喷出清洗液，并使所述被清洗晶圆与所述基板无接触。
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述基板与水平面之间的倾角在0至30度之间。
3.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述多个喷液装置的每一个与所述基板间形成确定夹角，所述喷嘴的每一个与所述被清洗晶圆的水平移动方向之间的夹角小于90度。
4.根据权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，所述基板上具有排液装置，所述排液装置用于接收从所述多个喷液装置喷出的清洗液。
5.根据权利要求4所述的清洗装置，其特征在于，所述多个喷液装置的每一个与所述基板间的夹角相同。
6.根据权利要求5所述的清洗装置，其特征在于，所述多个喷液装置在所述被清洗晶圆移动方向上以及垂直方向均匀分布。
7.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，还包括用于调节所述多个喷液装置方向的调节装置。
8.根据权利要求4所述的清洗装置，其特征在于，所述排液装置为多个排液孔。
9.根据权利要求8所述的清洗装置，其特征在于，所述多个喷液装置呈矩阵分布，所述矩阵中相邻各行之间距离相等，所述矩阵中相邻各列之间距离也相等。
10.根据权利要求4所述的清洗装置，其特征在于，所述排液装置为一个或多个排液槽。
11.根据权利要求4至10中任一项所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置包括一个放置所述清洗液的盒体，排液管，液体泵和输液管，
所述盒体清洗装置的上板包括所述基板，
所述排液装置与所述排液管相连，以使所述排液装置接收的所述清洗液自所述基板上方流回所述盒体，
所述液体泵用于将所述盒体中的所述清洗液通过所述输液管送达所述多个喷液装置喷出。
12.根据权利要求3至10中任一项所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗液为氢氟酸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
