[实用新型]太阳能电池与高能量密度存储器的集成无效
| 申请号： | 200920071044.8 | 申请日： | 2009-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN201417774Y | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 杨明 | 申请（专利权）人： | 杨明 |
| 主分类号： | H01L27/142 | 分类号： | H01L27/142 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 范 晴 |
| 地址： | 313100浙江省湖州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 高能量 密度 存储器 集成 | ||
1.一种太阳能电池与高能量密度存储器的集成，包括太阳能电池(1)和供太阳能电池(1)储存电能的高能量密度存储器(2)，其特征在于：所述高能量密度存储器(2)包括设于太阳能电池(1)的背光侧表面的绝缘衬底(21)、所述衬底(21)表面设有若干向内凹陷的小槽(24)，所述衬底(21)表面还设有若干电极层(22)、以及分别间隔设置于每相邻两电极层(22)之间的若干高介电常数介质层(23)，所述电极层(22)和介质层(23)与小槽(24)位置对应的部分填充于小槽(24)内。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池与高能量密度存储器的集成，其特征在于：所述太阳能电池(1)包括透光基板(11)、依次设于基板(11)上的透明向光导电膜(12)、发电层(13)以及背光导电膜(14)，所述高能量密度存储器(2)的衬底(21)设于背光导电膜(14)的背光一侧。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池与高能量密度存储器的集成，其特征在于：所述太阳能电池(1)包括基板(11)、依次设于基板(11)上的背光导电膜(14)、发电层(13)以及透明向光导电膜(12)，所述高能量密度存储器(2)的衬底(21)设于基板(11)的背光一侧。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池与高能量密度存储器的集成，其特征在于：所述衬底(21)一端为所有偶数层电极层(22)于该端相互电连接的第一极端(25)，所述衬底(21)另一端为所有奇数层电极层(22)于该端相互电连接的第二极端(26)。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池与高能量密度存储器的集成，其特征在于：所述衬底(21)为绝缘氧化物。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池与高能亮密度存储器的集成，其特征在于：所述太阳能电池(1)为薄膜太阳能电池、单晶太阳能电池或多晶太阳能电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
