[实用新型]一种植物营养液气雾式供给系统有效

专利信息
申请号: 200920074233.0 申请日: 2009-07-06
公开(公告)号: CN201430824Y 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 李付忠 申请(专利权)人: 上海赋民农业科技有限公司
主分类号: A01G31/06 分类号: A01G31/06
代理公司: 北京英特普罗知识产权代理有限公司 代理人: 齐永红
地址: 201300上海市南汇区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 植物 营养液 气雾式 供给 系统
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种植物营养液的供给系统,尤其涉及一种营养液气雾式供给系统。

背景技术

传统农业是基于太阳光照与土壤基质而进行的自然生产方式的农业,产品的产量和产品质量受到种植面积和自然环境条件的制约,很难满足人们对食品数量和质量的要求。

温室栽培在一定程度上摆脱了环境对农业生产的限制,人们可以在任何时间吃到各种蔬菜或水果。温室无土栽培技术是随着温室生产发展而研究采用的一种最新栽培方式。无土栽培大体上分为基质栽培和无基质栽培两大类。基质栽培,即作物根系固定在基质中,植株通过基质吸收营养液,主要栽培方式有袋培、岩棉培和营养液膜法。而无基质栽培一般称为水培,即根系直接和营养液接触,水培系统中,比较先进的营养液供给形式为浅液流供给方式,即植物的根部位于较浅的以一定速率流动的营养液中。

植物工厂是继温室栽培之后发展的一种高度专业化、现代化的设施农业。它与温室生产不同点在于,完全摆脱大田生产条件下自然条件和气候的制约,应用近代先进技术设备,完全由人工控制环境条件,全年均衡供应农产品。目前,高效益的植物工厂在某些发达国家发展迅速,实现了工厂化生产蔬菜、食用菌和名贵花木等。植物工厂的最主要特点之一是营养液栽培技术,如日本营养液栽培的方法有许多种,如NFT、湛液培、固体基质培(包括岩棉培、砾培、砂培等),其中以岩棉培和NFT为主,而岩棉培更是占到营养液栽培面积的近50%。典型的营养液栽培装置有以下几种形式:①三水式NFT装置——栽培床用泡沫制成,有一定的斜度(1/80-1/100),底部营养液呈薄膜状缓缓流动,可以自动供肥,还设有杀菌装置;②协和式——使用成型塑料栽培床,分成若干单元,适用于果菜栽培;③M式——栽培槽用“U”型泡沫制作的成型产品连接而成,定植板也用泡沫做成,里面铺聚乙烯薄膜,适于叶菜特别是鸭儿芹栽培;④新和式等量交换装置——其主要特征是栽培槽分成两部分,相互间进行营养液的等量交换,以补给根系充足的氧气(②、③、④均属于湛液栽培装置);⑤诚和式——这是一种循环式岩棉栽培装置,在栽培槽中央安装排水管,从下到上依次铺放粒状岩棉垫、岩棉块和定型灌水管,采用滴灌方式,多余的营养液经排水管流回集水槽供循环使用。植物工厂中多采用移动栽培装置,主要有平面式、立体式和倾斜式三种,通过合理密植,提高了有效栽培面积。上述栽培方式,植物的根部在大部分时间均位于营养液中,不能为植物提供更佳的呼吸环境,直接影响了植物新陈代谢的速率。

专利号为ZL96105058.6、授权公告日为2000年4月19日的中国实用新型专利公开了一种植物的营养液雾化培养反应器,采用了营养液的雾化供给方式,但是该反应器用于培养植物组织,必须为密闭的玻璃罐体,而且玻璃罐体内需要保证一定的温度,罐体内从上至下设置有多层用于放置组织块的不锈钢网,由于该反应器采用多层状结构,喷出的营养液需要在螺旋桨的带动下在整个反应器中循环,进而充满整个反应器,使位于不同层上的组织块均可以吸收到营养液。另外,由于该营养液雾化培养反应器为密闭形式,因此需要在停雾期间进行通气。上述植物的营养液雾化培养反应器不仅结构复杂,成本高,也不适于栽培植物,更不能为植物生长出气生根提供优越的条件。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了提供一种适于栽培植物的植物营养液气雾式供给系统。

本实用新型所采用的技术方案为:一种植物营养液气雾式供给系统,包括营养液池,用于存储培养植物的营养液;以及,高压水泵,其输入端口与所述营养液池的输出管道连通;以及,喷头,设置在植物生长区内,所述喷头与高压水泵的输出端口连通。

优选地,所述营养液池至高压水泵的输出管道上设置有用于对营养液进行磁化处理的磁化装置,所述磁化装置提供2万高斯至4万高斯的强磁场。

优选地,所述高压水泵的输出端口与喷头之间设置有用于过滤营养液中杂质的过滤器。

优选地,所述植物生长区内具有倾斜设置的回流槽,待回流的营养液通过所述回流槽依次通过分别对回流营养液进行过滤和杀菌的回流过滤器和回流杀菌装置流回至所述营养液池。

优选地,还包括缓冲沟槽,其设置在临近所述营养液池的位置上,并与所述营养液池连通;所述缓冲沟槽的内部设置有减缓回流营养液流速的缓冲壁;所述回流杀菌装置为紫外线灯管,所述紫外线灯管安装在所述缓冲沟槽的上部或者内壁上。

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