[实用新型]网格阵列二极管

权利要求书

1.一种网格阵列二极管，其特征在于，包括：

纵向NPN管基极与集电极通过金属连线短接的单元二极管；

单元二极管为正方形元胞，呈网格状交错排列，并联为一个整体大功率二极管；

单元二极管的负极由NPN管发射极组成；

单元二极管的正极由NPN管基极和集电极组成；

单元二极管的负极在中间低压N阱区域，正极包在四周，属于高压P阱区域；

相邻二极管单元公用上下左右正极，组成网格状有源区，每个网格中心是单元二极管的负极；

网格阵列PN结二极管以单元二极管的负极中心呈对称分布；

所有单元管集电极公用，包围在网格阵列PN结二极管的外边N外延区域。

2.如权利要求1所述的网格阵列二极管，其特征在于，负极方形单元网格阵列包括加强N型区，其形状呈方形，其外包低压N型阱区，加强N型区部分和低压N型阱区形成单元二极管的负极；还包括加强P型区，形成单元二极管的正极，高压P型阱区，包围加强P型区和低压N型阱区部分。

3.如权利要求2所述的网格阵列二极管，其特征在于，二极管正方形元胞内径边长10～50μm，正极边带宽2～10μm，负极正方形边长5～25μm，元胞二极管有效电流通道面积与元胞总面积之比为0.4至0.6。

4.如权利要求1所述的网格阵列二极管，其特征在于，负极六边形单元网格阵列包括加强N型区，其形状呈六边形，其外包低压N型阱区，加强N型区和低压N型阱区形成单元二极管的负极；还包括加强P型区，形成单元二极管的正极，高压P型阱区包围加强P型区和低压N型阱区。

5.如权利要求4所述的网格阵列二极管，其特征在于，二极管正方形元胞内径边长10～50μm，正极边带宽2～10μm，负极六边形边长3～20μm，元胞二极管有效电流通道面积与元胞总面积之比为0.4至0.6。

6.如权利要求1所述的网格阵列二极管，其特征在于，负极圆形单元网格阵列包括区域1部分是加强N型区，其形状呈圆形，其外包低压N型阱区，加强N型区和低压N型阱区形成单元二极管的负极；还包括加强P型区，形成单元二极管的正极，高压P型阱区包围加强P型区和低压N型阱区。

7.如权利要求6所述的网格阵列二极管，其特征在于，二极管正方形元胞内径边长10～50μm，正极边带宽2～10μm，负极圆形半径3～20μm，元胞二极管有效电流通道面积与元胞总面积之比为0.4至0.6。