[实用新型]蒸镀装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别涉及一种蒸镀装置。

背景技术

在半导体制程工艺中，金属镀膜(Metal Deposition)又称物理镀膜(PhysicalVapor Deposition；PVD)，依原理分为蒸镀(evaporation)与溅镀(sputtering)两种。

其中蒸镀就加热方式差异，分为电阻式(thermal coater)与电子枪式(E-gun evaporator)两类机台。前者在原理上较容易，就是直接将准备熔融蒸发的金属以线材方式挂在加热钨丝上，一旦受热熔融，因液体表面张力之故，会攀附在加热钨丝上，然后徐徐蒸着至四周(包含晶圆)。因加热钨丝耐热能力与供金属熔液攀附空间有限，仅用于低熔点的金属镀着，如铝，且蒸着厚度有限。

电子枪式蒸镀机则是利用电子束进行加热，熔融蒸发的金属膜料放在石墨或钨质坩埚(crucible)中。待金属蒸气压超过临界限度，也开始徐徐蒸着至四周(包含晶圆)。电子枪式蒸镀机可蒸着熔点较高的金属，厚度也比较不受限制。

电子枪式蒸镀的膜料一般为钛、镍、银，由于镍(Ni)有磁性，请结合参见图1A及图1B，在利用电子束加热熔化过程中，容易吸附许多杂质，当电子束扫描到杂质上时，晶体感应器不能检测到所沉淀的金属，则电子枪的功率会一直上升导致制程功率过大，膜料就会飞溅出来，呈抛物线状溅到坩埚110的边沿上面，在旋转型多坩埚上装有盖板120可用于防止膜料之间的交叉污染，由于坩埚110和盖板120之间的间隙较小，飞溅出来的金属会堆积在坩埚110的边沿上，易导致坩埚110不能转动而卡锅。

实用新型内容

本实用新型旨在解决现有技术中由于在电子枪式蒸镀过程中，膜料溅出堆积在坩埚边上，导致坩埚不能转动而卡锅的问题。

有鉴于此，本实用新型提供一种蒸镀装置，包括：多个坩埚，具有坩埚口，用于盛放膜料；第一盖板，具有第一开口大于所述坩埚口，设置于所述坩埚上，并与所述坩埚间具有间隙，防止所述坩埚中膜料的交叉污染；以及第二盖板，设置于所述第一盖板上，具有第二开口与所述坩埚口匹配。

进一步的，所述坩埚为旋转型多坩埚。

进一步的，所述多个坩埚为4个。

进一步的，所述坩埚的材质石墨或钨质。

进一步的，所述膜料为钛或镍或银。

综上所述，利用本实用新型所提供的蒸镀装置是在坩埚上另加一第二盖板，其开口与坩埚口匹配，在电子枪式蒸镀制程中，若膜料飞溅，则会溅到该第二盖板之上，不影响坩埚的正常转动，则制程不会由于溅锅而终止，保证了蒸镀的正常进行。

附图说明

图1A所示为现有电子枪蒸镀所使用的坩埚的结构示意图；

图1B所示为现有电子枪蒸镀造成坩埚卡锅的示意图；

图2所示为本实用新型一实施例所提供的蒸镀装置的示意图；

图3所示为本本实用新型一实施例所提供的蒸镀用坩埚的俯视图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、特征更明显易懂，给出较佳实施例并结合附图，对本实用新型作进一步说明。

请参见图2，其所示为本实用新型一实施例所提供的蒸镀装置的俯视图，该蒸镀装置，包括：多个坩埚210，具有坩埚口211，用于盛放膜料；第一盖板220，具有第一开口221大于所述坩埚口211，设置于所述坩埚210上，并与所述坩埚210间具有间隙，防止所述坩埚210中膜料的交叉污染；以及第二盖板230，设置于所述第一盖板220上，具有第二开口231与所述坩埚口211匹配。在利用电子束加热熔化过程中，容易吸附许多杂质，当电子束扫描到杂质上时，晶体感应器不能检测到所沉淀的金属，则电子枪的功率会一直上升导致制程功率过大，膜料就会飞溅出来，因为加装了第二盖板230，如果膜料飞溅出来，则会溅到该第二盖板230之上，而不会呈抛物线状溅到坩埚的边沿上面，避免了坩埚因此不能转动而卡锅的问题。

在本实用新型一实施例中，请参见图3，为了实现多膜料的蒸镀，如钛或镍或银。坩埚210为旋转型多坩埚，坩埚的个数为4个，但本实用新型不限于此。电子枪蒸镀会产生高温高热，所以在本实用新型一实施例中，所述坩埚210的材质石墨或钨质。

综上所述，本实用新型所提供的蒸镀装置是在坩埚另加一第二盖板，其开口与坩埚口匹配，在电子枪式蒸镀制程中，若膜料飞溅，则会溅到该第二盖板之上，不影响坩埚的正常转动，则制程不会由于溅锅而终止，保证了蒸镀的正常进行。

虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何熟习此技术者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。