[实用新型]边缘不对称倒角单晶片有效
| 申请号： | 200920093957.X | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN201514935U | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 商亚峰;姚志勇;常江;李昱鑫 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 边缘 不对称 倒角 晶片 | ||
【权利要求书】：
1.一种边缘不对称倒角单晶片，所涉及的单晶片是一种在半导体器件制造过程中的中间产品，由经滚圆加工的硅单晶棒切割而成，呈圆片状，被划分为两层，即去除层(4)和保留层(5)，其特征在于，单晶片边缘倒角为不对称倒角，并且，与单晶片划分为去除层(4)和保留层(5)相对应，单晶片边缘倒角也划分为两部分，即去除层倒角(6)和保留层倒角(7)，保留层倒角(7)为对称倒角。
2.根据权利要求1所述的边缘不对称倒角单晶片，其特征在于，去除层倒角(6)一端与单晶片表面相交，另一端与保留层倒角(7)的一端相连，保留层倒角(7)的另一端与单晶片的另一表面相交。
3.根据权利要求1所述的边缘不对称倒角单晶片，其特征在于，单晶片厚度为535±10μm，单晶片边缘倒角的顶点到过保留层倒角(7)末端且垂直于单晶片表面的直线的距离(h1)在130±100μm范围内，单晶片边缘倒角的顶点到过去除层倒角(6)与单晶片表面的的交点、且垂直于单晶片表面的直线的距离(h2)在500±100μm范围内，单晶片边缘倒角的延长线与单晶片表面的夹角(θ)在30±2°范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
