[实用新型]键合力监测、探测装置无效
申请号: | 200920101571.9 | 申请日: | 2009-02-19 |
公开(公告)号: | CN201364886Y | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 张续业;李朝军 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/607;G01L1/16;G01L1/00;B23K20/10;B29C65/08 |
代理公司: | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 董金国 |
地址: | 065201河北省三*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 合力 监测 探测 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种键合力监测、探测装置,特别是一种用于半导体后封装设备——引线键合机的超声波键合过程中的力接触探测装置。
背景技术
键合力监测、探测装置是一种供键合机在键合过程中监测接触力的探测装置,是一种适用于半导体后封装设备——引线键合机控制键合质量与效率的关键技术,以往的设计通常把力传感器直接安装于超声波换能器上,有的通过在换能器表面贴应变片的方式,有的通过直接把应变片置于换能器的超声波发生压电陶瓷之间,也有的采用间接的方法在与换能器连接的零部件上安装传感器等等,这些直接的方式有一定的缺点。
在换能器上直接安装传感器(如:贴应变片),不能实时的采集信息,同时也会影响对换能器的操作(换能器的外形、夹持方式与超声频率关系密切)。而采用间接的方式结构很有局限,不紧凑。应变片等形式的传感器输出信号有很大的偏差,这给测量带来很大的困难,通常采用安装多个传感器来抑制这些偏差。
发明内容
本实用新型所解决的技术问题是提供一种结构紧凑、监测精度高、工作可靠的键合力监测、探测装置。
本实用新型采用如下技术方案:
本实用新型包括主体、超声波换触器、夹持座、劈刀和力传感器,其特征是所说超声波换能器装于夹持座上,夹持座与主体固定连接,且力传感器固定连接于夹持座与主体之间。
所说夹持座与主体相对的平面上设有供安装力传感器的嵌槽,且嵌槽设于夹持座上供夹持座与主体固定连接的一个螺钉孔处。
所说力传感器是压电晶体式传感器或应变式传感器。
本实用新型所说夹持座与主体间设有缓冲垫,且缓冲垫穿装在用于夹持座和主体固定连接的螺钉)杆上。
键合机在键合过程中,(劈刀与芯片或者引线框架)接触力通过换能器传递到力传感器,这个力有可能是压力,也有可能是拉力,所以本装置的力传感器安装时要施加一定的预载力。力传感器所加预载力的大小是力传感器量程的一半。预载力通过连接主体与夹持座的螺钉来实现。
本装置进行力监测、探测的方法:
1).对力传感器进行标定,得出力传感器输出值(电压)与实际作用于劈刀尖上力之间的比例关系,得出比例系数K。
2).在监测与探测过程中,在一个时间间隔的开始,读取在力传感器上的输出值,此值作为一个参考值。
3).在此时间段内读取的力传感器的输出值,跟这个参考值相比较,从而得出输出值得相对偏差(大小)。偏差与比例系数的乘积就是施加于接触点(劈刀与芯片或者引线框架)的瞬时作用力的大小。
力传感器上输出的是电压值。时间间隔可以有不同的长短。
力传感器用于监测、探测超声波键合时的接触力的大小。
时间段的开始可以是两次超声波键合之间的任何时刻。
本实用新型所提供的键合力监测、探测装置可以有效的解决信号漂移的问题,同样也便于安装、结构紧凑。由于力传感器返回的是电压值,便于采集与处理,可以用于闭环控制,也可用于静态或者动态的键合质量控制中。从而可明显提高键合机的键合质量与效率。本装置监测精度高,工作可靠。
附图说明
附图1为本实用新型一种实施例的轴测图;
附图2为图1所示实施例的轴测分解图一;
附图3为图1所示实施例的轴测分解图二。
在附图中:1主体、2夹持座、3超声波换触器、4劈刀、5引线框架、6螺钉、7力传感器、8缓冲垫、9嵌槽。
具体实施方式
下面将结合实施例附图对本实用新型作进一步详述:
参见附图,本实用新型所提供的键合力监测、探测装置是安装在半导体后封装设备——引线键合机键合头用于监测、探测键合力大小的装置,对键合机在键合过程中所需的精密、高速、稳定的键合力进行监测与测量。
如图中所示:换能器夹持座2使用四个螺钉6紧固于主体1上,夹持座2除了夹持超声波换能器3外,在夹持座2其中的一个螺钉孔的位置设有一个嵌槽9,用来放置力传感器7.
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造