[实用新型]硅片喷淋清洗槽有效
申请号: | 200920109664.6 | 申请日: | 2009-06-30 |
公开(公告)号: | CN201440405U | 公开(公告)日: | 2010-04-21 |
发明(设计)人: | 于皓洁;杜飞龙 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B3/02 |
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地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 喷淋 清洗 | ||
技术领域
本实用新型属于一种清洗装置,具体是一种用于硅片清洗的装置,特别是将整篮硅片同时进行全方位清洗的清洗装置。
背景技术
常规的硅片清洗工艺是采用静态喷淋清洗,所用喷淋管为固定的,清洗存在覆盖不到的区域,而且清洗的均匀性和清洁度不够理想。因此,需要对现有工艺和设备进行改进。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述技术问题,提出一种硅片喷淋清洗槽,该清洗槽能实现全方位均匀清洗,操作简便,较好地解决了上述问题。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:硅片喷淋清洗槽,设有槽体,其特征在于:槽体内可放置硅片清洗花篮,在槽体的一端设有平移气缸,该气缸上通过固定块固定装有水平移动的平移喷淋管,该喷淋管上设有喷嘴;在槽体一端的下部设有升降气缸,该气缸通过安装板固定装有在槽体内两侧升降移动的两个升降喷淋管,该喷淋管上设有喷嘴。
工作过程:工件放入槽内后,顶部喷淋管在平移气缸驱动下做往复平移支运动,侧面喷淋管在升降气缸的驱动下做升降运动,使得水可以均匀喷淋覆盖整个工件区域。
本实用新型具有结构完善,操作简便,全方位均匀清洗,特别是不易损伤硅片的优点。
附图说明
图1是本实用新型的立体结构示意图;
图2是图1中A-A剖视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明:实施例:参见附图,硅片喷淋清洗槽,设有槽体,槽体内可放置硅片清洗花篮9,在槽体1的一端设有平移气缸6,该气缸上通过固定块7固定装有水平移动的平移喷淋管2,该喷淋管上设有喷嘴3;在槽体一端的下部设有升降气缸5,该气缸通过安装板8固定装有在槽体内两侧升降移动的两个升降喷淋管4,该喷淋管上设有喷嘴3.1。
本实施例经试用效果非常好。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造