[实用新型]一种红外器件用衬底倒边器

说明书

技术领域

本实用新型涉及光电探测器红外器件用衬底倒边器。

背景技术

红外器件一般是在衬底表面通过液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)或金属有机化合物沉积(MOCVD)一层薄膜，然后进行p-n结制备。在衬底表面外延薄膜之前需要对衬底进行研磨抛光。晶片切割之后其边缘存在碎小残渣、残余应力，如果不去除，残渣脱落容易对后续的研磨抛光造成表面划痕，损伤晶体表面，造成晶片不能使用。

一般红外器件用衬底通常为半导体材料，如碲锌镉(CdZnTe)或砷化镓。用于LPE制备所需要的晶向为<111>，由于CdZnTe为三元晶体，制备大面积<111>晶向的衬底十分困难，所以难以像硅片那样对晶体倒边去除量较大而形成规则形状，对于切割出的<111>晶向的CdZnTe晶体需要最大面积地保留。切割后的<111>晶向的CdZnTe衬底形状不规则，如果对晶片像硅片那样进行倒边处理，晶片去除的面积就会较大，成本较高。因而需要一种新型的倒边器，既能够对各种形状的衬底进行倒边，又能够最大面积地保留衬底。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够去除红外器件用衬底边缘在切割后形成的碎小残渣，并有效保留所需晶向的新型红外器件用衬底倒边器。

为解决上述技术问题，本实用新型红外器件用衬底倒边器包括基底，该基底表面开有一个“V”型槽。

进一步地，所述“V”型槽的底部为圆弧状。

更进一步地，所述“V”型槽与所述圆弧连接处的宽度与所述红外器件用衬底厚度相适应。

进一步地，所述“V”型槽的表面镀有一层金刚石砂。

更进一步地，所述金刚石砂颗粒度可为#400、#600、#800、#1000以及#1200。

进一步地，所述“V”型槽的夹角为30～150°。

进一步地，所述基底的形状可为平板型、三角形或梯形。

本实用新型的有益效果包括：

1、成倍地提高了倒边效率；

2、倒边时能够进行边缘控制，施加的压力也能手动调节，操作简便；

3、通过制备不同形状的倒边器，即通过选择制备不同形状的基底，能够对任意形状的晶片衬底进行倒边处理，从而最大面积地保留晶片衬底；

4、能够对晶片边缘进行圆弧处理，对晶片尖角也能够做圆滑处理，为后续的研磨抛光提供了便利。

本实用新型倒边器已经成功地应用于CdZnTe衬底倒边。

附图说明

图1为本实用新型红外器件用衬底倒边器结构示意图；

图2为平板式红外器件用衬底倒边器示意图；

图3(1)、图3(2)为三角形红外器件用衬底倒边器示意图；

图4(1)、图4(2)梯形红外器件用衬底倒边器示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1为本实用新型红外器件用衬底倒边器结构示意图，如图所示，本实用新型红外器件用衬底倒边器包括基底(1)，在基底(1)表面开出的“V”型槽(2)，“V”型槽(2)的底部为圆弧(3)，“V”型槽(2)，包括圆弧(3)的表面喷镀有一层金刚石砂(4)。

其中，基底(1)材料可为不锈钢、铜或铝，基底(1)的形状可为平板型、三角形或梯形等各种不同形状。

“V”型槽(2)是在基底(1)上用车床车出的，“V”型槽(2)的夹角为30～150°。

“V”型槽(2)与圆弧(3)连接处的宽度根据红外器件用衬底厚度而改变，即与衬底厚度相适应。

“V”型槽(2)与圆弧(3)表面喷镀的一层金刚石砂(4)的颗粒度可为#400、#600、#800、#1000或#1200。

采用本实用新型红外器件用衬底倒边器对红外器件用衬底进行倒边的过程如下：

将红外器件用衬底晶片用手或夹具固定，将本实用新型红外器件用衬底倒边器水平放置，并用去离子水冲洗。将需要进行倒边的晶体边缘垂直于“V”型槽(2)，施加一定压力并使晶片在“V”型槽(2)内往返运动，晶片的边缘在金刚石砂摩擦的作用下碎小残渣脱落随即被去离子水冲走。通过不同颗粒度金刚砂的摩擦作用，能够快速并彻底地去除由于切割在晶片边缘形成的残渣，使之形成较为光滑的圆弧，减少应力的存在。

以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应注意的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求记载的技术方案及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。