[实用新型]一种180～186瓦72片单晶硅电池片组件及其使用的单晶硅电池片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种单晶硅电池片，尤其是一种180～186瓦72片单晶硅电池片组件及其使用的单晶硅电池片。

背景技术

目前，世界上的晶体硅发电的产品中，180瓦72片的单晶硅电池片的组件是主流。生产180瓦72片的单晶硅电池片组件，每片硅片的功率要达到2.5瓦。由于掺硼硅片的材料特性，其固有衰减在2.5％，所以电池片在衰减前的功率要达到2.564瓦。目前行业里生产180瓦组件的硅片尺寸的标准为边长125mm，对角线长为150mm，其面积为14858mm²。则在标准光强照射下(光强1000W/m²)，其衰减前光电转换效率应在17.25％。

而对于目前晶体硅电池的批量生产技术，如果要做到衰减前光电转换效率为17.25％的的电池片，其硅料的少子寿命必须大于25μs，硅材料间隙氧的含量小于18ppma，替位碳含量小于1ppma，金属杂质含量小于0.5ppba。为了达到这一产品质量，必须使用纯度为8N以上的硅材料。而目前国内的原生硅金属含量纯度仅能达到6-7N，这使得我国硅片生产企业不得不购买国外的9N原生多晶硅来进行生产。其价格高昂，大大降低了我国企业的竞争力。

如果不采购9N的国外原生多晶硅，而采用国内的原生多晶硅，其衰减前光电转换效率在16.8％左右，2.5％的衰减。如果依此生产出的标准尺寸电池片，衰减后效率仅有2.434瓦，72片生产成组件功率为175.2瓦，这样的组件远远无法满足市场需求。

发明内容

本实用新型需要解决的技术问题是，合理选定电池片尺寸，减少组件中空白导角面积，增加电池片的表面积，在使用纯度略低的硅材料时也能满足180～186瓦72片组件使用的单晶硅电池片的质量要求。

本实用新型的180～186瓦72片组件使用的单晶硅电池片，其形状为边长为H的正方形，带有四个以正方形中心为圆心、半径为D/2的圆相割形成的圆角，其表面积为S₀，其特征是：H为125.5mm～130.5mm，D为156mm～184mm。

作为优选，单晶硅电池片上正方形一个圆角以外部分为导角面积，导角面积S＝(H²-S₀)/4，单晶硅电池片导角面积之和4S与单晶硅电池片表面积S₀之比为0.01％～5.00％。

本实用新型的180～186瓦72片单晶硅电池片组件，单晶硅电池片排成矩形阵列，其特征是：其特征是：所述的单晶硅电池片形状为边长为H的正方形，带有四个以正方形中心为圆心、半径为D/2的圆相割形成的圆角，其表面积为S₀，其中H为125.5mm～130.5mm，D为156mm～184mm；正方形一个圆角以外部分为导角面积，导角面积S＝(H²-S₀)/4，单晶硅电池片组件导角面积之和4S与单晶硅电池片组件表面积S₀之比为0.01％～5.00％。

经计算，背景技术的标准单晶硅电池片组件导角面积之和与72片单晶硅电池片表面积之和的比为5.16％，本实用新型的设计比例明显要小。

本实用新型的单晶硅电池片及其组件的衰减后光电转换效率为14.8％～16.8％。

本实用新型有益的效果是：一、在不过多改变组件外观的情况下，减少了组件中导角面积，增加了电池片的表面积，使得采用纯度略低的硅材料也能保证质量，达到发电功率需求。二、在满足发电功率的条件下，材质可由国产原生多晶硅与IC级硅废料控制调配而成，以进一步降低成本，提高企业的竞争力；三、通过对低纯度硅材料的应用，有效利用硅废料，降低发电成本。

附图说明

图1是单晶硅电池片的结构示意图；

图2是单晶硅电池片组件的结构示意图(部分)。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

实施例1。如图1，本例单晶硅电池片，边长为H＝126mm的正方形，被以正方形中心为圆心、直径为D＝165mm的圆相割后形成四个圆角，单片面积为15697mm²。如图2，72片组件成12×6矩形阵列排列，72×4个导角面积之和：72片单晶硅电池片表面积之和的比为1.14％。