[实用新型]新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块有效
申请号: | 200920116978.9 | 申请日: | 2009-04-02 |
公开(公告)号: | CN201508835U | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 刘志宏;金晓行;姚礼军;张宏波;沈华 | 申请(专利权)人: | 嘉兴斯达微电子有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/488;H01L23/48;H01L23/13 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 沈志良 |
地址: | 314000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 直接 敷铜基板 布局 绝缘 极性 晶体管 模块 | ||
1.一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块,包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和功率端子,基板和直接敷铜基板通过钎焊结合,绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板之间通过钎焊结合,其特征在于基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板,每块直接敷铜基板都由门极、集电极和发射极组成。
2.根据权利要求1所述的一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块,其特征在于基板上的四块直接敷铜基板呈方形排布,其中左上直接敷铜基板和右下直接敷铜基板、左下直接敷铜基板和右上直接敷铜基板的结构相同。
3.根据权利要求1所述的一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块,其特征在于直接敷铜基板的边侧区域为门极,门极是一块长方形区域,左上直接敷铜基板的门极和左下直接敷铜基板的门极、右上直接敷铜基板的门极和右下直接敷铜基板的门极分别通过桥连接,且分别通过引线引出。
4.根据权利要求1所述的一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块,其特征在于直接敷铜基板的中间区域是集电极,直接敷铜基板通过钎焊和绝缘栅双极性晶体管芯片及二极管芯片的集电极连接在一起,四个直接敷铜基板通过桥连接在一起,再通过功率端子引出。
5.根据权利要求1所述的一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块,其特征在于直接敷铜基板的右边区域是发射极,直接敷铜基板和绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片的发射极连接在一起,上下直接敷铜基板的发射极是通过桥连接在一起,再通过功率端子引出去。
6.根据权利要求1所述的一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块,其特征在于直接敷铜基板上还设有信号引线和阻焊层。
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