[实用新型]掺钕钨酸钾钆晶体腔内倍频激光器无效
| 申请号： | 200920120791.6 | 申请日： | 2009-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN201435524Y | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 钱培成;汪丁成 | 申请（专利权）人： | 杭州日月电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/16 | 分类号： | H01S3/16;H01S3/0941;H01S3/109;H01S3/06;H01S3/08 |
| 代理公司： | 杭州天欣专利事务所 | 代理人： | 陈 红 |
| 地址： | 311407浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺钕钨酸钾钆 晶体 倍频 激光器 | ||
1、一种掺钕钨酸钾钆晶体腔内倍频激光器，其特征在于它依次包括LD端面泵浦源(1)、Nd3+:KGd(WO4)2激光晶体(2)、KTP晶体(3)、平凹透镜(4)；Nd3+:KGd(WO4)2激光晶体(2)吸收LD端面泵浦源(1)辐射的能量后，形成反转粒子数分布，Nd3+在能级4I13/2→4I11/2之间跃迁，产生波长为1067nm的激光的受激跃迁辐射，跃迁的光在激光腔内形成谐振，经KTP倍频后的光通过平凹透镜输出，未倍频的经平凹透镜反射回去经再次倍频后再输出。
2、如权利要求1所述的一种掺钕钨酸钾钆晶体腔内倍频激光器，其特征在于激光头带TEC温控及聚光系统，其激励波长与Nd3+:KGd(WO4)2激光晶体(2)的吸收普线能够很好的匹配。
3、如权利要求1所述的一种掺钕钨酸钾钆晶体腔内倍频激光器，其特征在于所述Nd3+:KGd(WO4)2激光晶体(2)的第一个面为HR1067nm和1180nm，HT808nm，R 99.5％1067nm，R1.2％808nm，R99.1％1180nm；第二个面为AR 1067nm和1180nm，R0.1％1067nm，R0.25％1180nm。
4、如权利要求1所述的一种掺钕钨酸钾钆晶体腔内倍频激光器，其特征在于所述的平凹透镜(4)，其透镜参数为R＝-75mm，HR＞99％1067nm，HT＞90％533.5nm，BK7。
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