[实用新型]一种电源输出短路保护电路无效

专利信息
申请号: 200920129454.3 申请日: 2009-01-16
公开(公告)号: CN201345532Y 公开(公告)日: 2009-11-11
发明(设计)人: 吴玉强;李汉光;刘敬波;胡江鸣;刘俊秀;石岭 申请(专利权)人: 深圳艾科创新微电子有限公司
主分类号: H02H3/08 分类号: H02H3/08
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地址: 518057广东省深圳市南山区高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 输出 短路 保护 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种模拟集成电路,特别的涉及一种用于电源芯片中的输出短路保护电路。

背景技术

由于VLSI的不断发展,电源芯片的集成得到了迅猛的发展,并广泛应用于各种设备中,尤其是便携式电子产品,诸如手机、MP3、PDA、PMP、DSC等。

低压差线性稳压器(Low Dropout linear Regulator,LDO)是电源IC中的一个重要分支,和DC/DC变换器相比,它具有纹波小、成本低和静态电流小及无需电感的优点,是便携式产品的首选供电系统之一。对于供电系统而言,由于各种不当的使用,都会造成电源系统的受损,尤其是对于片上系统更是严重,电源的损毁直接导致整个芯片的崩溃。因此,在电源的保护功能中,一般都需要短路保护电路,以防止在电源短路时工作电流过大而损坏电源以及负载。所以,短路保护电路性能的好坏直接影响整个电源的可靠性。

一般电源的短路保护电路采取的方式主要是:检测电源的输入或输出电流,对电流检测信号进行处理,当该信号大于某一值后,认为电源处于短路状态,然后通过对该信号的处理,使电源停止工作,以达到保护的目的。目前的处理方式主要有以下几种:

方式一:当电流检测信号大于某一阈值后,拉低电源主控芯片的电源端,使电源停止工作。

方式二:当电流检测信号大于某一阈值后,拉低电源主控芯片的输出参考电压端,使电源停止工作。

上述方式采取的都是当电流检测信号大于某一阈值之后,拉低某一处的电位,使电源停止工作,以达到保护的目的。但是由于这些方式中都要检测输出电流的大小,这样就增加了保护电路的复杂度,而且保护的可靠性受到限制。

美国IPD公司曾提出一种短路保护电路:通过555电路用脉冲电压启动控制电路,利用短路时辅助电源绕组不能提供足够能量的自然特性,实现短路保护功能。该电路能较好实现短路保护,但由于增加了555启动电路,则该电路的实现比较复杂。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种电路结构简单、且短路保护性能好的电路。

为解决上述技术问题,本实用新型提出了一种电源输出短路保护电路,该电路包括六个PMOS管M1、M2、M5、M9、M10和Mp1,四个NMOS管M3、M4、M6、M11,以及上拉管Mpu,待保护的输出功率管Mp;其中,PMOS管M1和NMOS管M3串联、PMOS管M2和NMOS管M4串联,两条串联支路再形成并联,PMOS管M2的栅极则连接至PMOS管M1的漏极电压V2,PMOS管M1和NMOS管M3的栅极均连接至PMOS管M2的漏极电压V1,且上拉管Mpu也连接于该电压V1和电源电压VDD之间,而弱上拉管的栅极接地,同时,电压V1经由PMOS管M5和NMOS管M6组成的反相器后输出电压Vp,电压V1输入至PMOS管M10和NMOS管M11的栅极,电压Vp输入至PMOS管M9的栅极,所述PMOS管M9、M10和NMOS管M11串联,其中功率管Mp的栅极通过PMOS管M10与误差电压Vea相连,其漏极为输出电压Vout。

本实用新型一种电源输出短路保护电路还可为:该电路包括七个PMOS管M1、M2、M5、M7、M9、M10和Mp1,五个NMOS管M3、M4、M6、M8、M11,以及上拉管Mpu,待保护的输出功率管Mp;其中,PMOS管M1和NMOS管M3串联、PMOS管M2和NMOS管M4串联,两条串联支路再形成并联,PMOS管M2的栅极则连接至PMOS管M1的漏极电压V2,PMOS管M1和NMOS管M3的栅极均连接至PMOS管M2的漏极电压V1,且上拉管Mpu也连接于该电压V1和电源电压VDD之间,而弱上拉管的栅极接地,同时,电压V1经由PMOS管M5和NMOS管M6组成的反相器后输出电压Vp,再经由PMOS管M7和NMOS管M8组成的反相器得到电压Vn,电压Vn输入至PMOS管M10和NMOS管M11的栅极,电压Vp输入至PMOS管M9的栅极,所述PMOS管M9、M10和NMOS管M11串联,其中功率管Mp的栅极通过PMOS管M10与误差电压Vea相连,其漏极为输出电压Vout。

所述上拉管Mpu为弱上拉管。

本实用新型采用简单的电路很好地实现了短路保护功能,既节省了成本,又能够提高可靠性,而且正常工作时,保护电路没有电源到输出端的通路,可提高输出对电源电压的抑制比;另一方面,本实用新型所述电路占用芯片面积小,可用于对芯片面积要求较高的便携式产品。

附图说明

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