[实用新型]一种静电保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子元件的保护电路，尤其是涉及一种静电保护电路。

背景技术

目前流行的工艺技术使用场效应COMS(互补金属氧化物半导体，Complementary metal-oxide-semiconductor transistor)作为静电放电(ESD，Electrostatic discharge)保护器件，当ESD发生时，泄放的静电电荷会造成NMOS(N-channel metal-oxide-semiconductor，N型沟道金属氧化物半导体)的寄生三极管导通，如图1所示。NMOS放电会产生阶跃恢复(snapback)的现象，如图2，在进入正常泻流状态的BC区域之前，保护管需要达到A点的开启电压Vt1。在衬底电阻一定的情况下，当静电电压达到开启电压Vt1时，静电电压使NMOS产生大小为I的衬底电流。所述大小为I的衬底电流在NMOS中形成的偏压刚好可以使寄生三极管导通，从而形成泻流通道。根据MOS工艺可知，有些NMOS的衬底电阻比较小，在三极管导通偏压一定的情况下，就需要较大的衬底电流，而衬底电流是由于静电电压产生的，根据NMOS衬底电流产生特性可知，达到所需的衬底电流时所需静电电压比较大，也就NMOS静电保护开启的电压Vt1比较大，有些电子元器件在电压Vt1的环境下就会被击穿，也就是此时ESD保护电路起不到作用。在高度集成化的今天，有必要提出一种可以降低ESD开启电压的ESD保护电路，适应技术发展的需要。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型所要解决的技术问题是：现有技术中NMOS管组成的静电保护电路，由于NOMS的ESD保护开启电压大而不能实施有效的保护，造成电子元器件的损环。

为了解决上述技术问题，本实用新型提出一种全新的静电保护电路。本实用新型的静电保护电路，包括与静电点连接的至少一个N型场效应管(NMOS)，其中，还包括串联连接的电阻和电容，所述电容剩下的一端与静电点连接，所述电阻剩下的一端与地连接；所述NMOS的漏极与静电点连接，源极和衬底分别与地连接、栅极与所述电阻和电容的连接节点连接。

本实用新型有益效果：本实用新型NMOS栅极与所述电阻和电容的连接节点连接，通过RC耦合作用，相同的静电电压就会使场效应管内部的衬底电流增加，降低了NMOS静电保护的开启电压，提高了保护电路对ESD的响应灵敏度。

附图说明

图1现有技术中静电保护结构示意图；

图2现有技术中静电保护结构产生Snapback现象图；

图3本实用新型第一实施例的电路示意图；

图4本实用新型第一实施例的静电保护结构示意图；

图5本实用新型第一实施例的电路结构产生的Snapback现象图；

图6本实用新型第二实施例的电路示意图；

图7本实用新型实施例的NMOS结构示意图。

1、栅端；2、第一漏端；3、第二漏端；4、源端。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。

实施例一

本实用新型的一种静电保护电路，包括与静电点PAD连接的至少一个N型场效应管(NMOS)、串联连接的电阻和电容，所述电容剩下的一端与静电点PAD连接，所述电阻剩下的一端与地连接；所述NMOS的漏极与静电点PAD连接，源极和衬底分别与地连接、栅极与所述电阻和电容的连接节点连接。参照图3提出本实用新型的第一实施例。图3是本实用新型第一实施例的电路示意图。本实施例中只有一个NMOS。

电路原理：