[实用新型]硅基电容式麦克风有效

专利信息
申请号: 200920130178.2 申请日: 2009-02-13
公开(公告)号: CN201369824Y 公开(公告)日: 2009-12-23
发明(设计)人: 张睿 申请(专利权)人: 瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声声学科技(常州)有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电容 麦克风
【说明书】:

【技术领域】

实用新型涉及一种微型麦克风,尤其涉及一种微机电系统(MEMS)硅基电容式麦克风。

【背景技术】

随着无线通讯的发展,全球移动电话用户越来越多,用户对移动电话的要求已不仅满足于通话,而且要能够提供高质量的通话效果,尤其是目前移动多媒体技术的发展,移动电话的通话质量更显重要,移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置,其设计好坏直接影响通话质量。

目前应用较多的麦克风包括传统的驻极体麦克风和新兴的微电机系统麦克风(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone,简称MEMS麦克风),MEMS麦克风是基于硅基半导体材料制成,故又称硅基麦克风。其封装体积比传统的驻极体麦克风小,性能也佳。因而,近几年,硅基MEMS麦克风取得了很大的发展空间。

如图1所示,为现有常见的MEMS硅基麦克风1的剖视示意图,其包括内部设有空腔的基底10和振膜11。振膜与背极板(未图示)相对且与背极板间隔一定距离,其周边110整体被固定于基底上。当声音气流传递到振膜上时,振膜上下振动以产生位移,改变电容器的电容量,电容量的改变使电容器的输出端产生相应的交变电场,形成了与声波信号对应的电信号,从而完成声电转换的功能。该类麦克风振膜的周边整体被固定,使得振膜受约束多,膜应力相应会增大,从而导致产品的灵敏度会有所下降。

【实用新型内容】

本实用新型所解决的技术问题是提供一种灵敏度高的硅基电容式麦克风。

根据上述需解决的技术问题,设计了一种硅基电容式麦克风,包括中心设有空腔的基底、收容于空腔内的背极板、与背极板相对且间隔一定距离的振膜,基底包括上表面,所述振膜包括位于中央位置的振动主体和由振动主体外周侧延伸而出的多个支撑臂,所述振膜与基底上表面位于同一表面、并通过支撑臂与基底相连。

作为本实用新型进一步改进,所述多个支撑臂关于振动主体的中心点相对称。

作为本实用新型进一步改进,所述多个支撑臂与振动主体的中心点位于一条直线上。

作为本实用新型进一步改进,所述支撑臂至少为4个。

本实用新型振膜通过支撑臂与基底相连而被固定,与现有技术相比,减少了振膜周边的约束,膜应力相应减低,有效地提高了产品的灵敏度。

【附图说明】

图1为本实用新型背景技术中揭示的麦克风剖面结构示意图;

图2为本实用新型实施例的立体结构示意图;

图3为本实用新型实施例剖面结构立体示意图;

图4为本实用新型实施例振膜的示意图。

【具体实施方式】

下面结合附图,对本实用新型硅基电容式麦克风作详细说明。

本实用新型硅基电容式麦克风2如图2所示,其主要用于手机上,接受声音并将声音转化为电信号,本实用新型是通过改变振膜结构以达到提高硅基电容式麦克风的灵敏度。

如图3所示,为本实用新型实施例硅基电容式麦克风2,包括基底20、背极板21、振膜22。基底包括上表面201、在其中心设有空腔200,背极板21收容于空腔内,在背极板上还设有通气孔210。振膜22包括位于中央位置的振动主体220和由振动主体外周侧延伸而出的多个支撑臂221,支撑臂221与基底20相连以使振膜被支撑及定位于基底空腔内,并且振膜与基底的上表面201位于同一水平面上,即振膜与基底的上表面平齐。振膜22与背极板21相对且间隔一定距离,振膜可相对背极板上下振动。

如图4所示,本实施例支撑臂221的数量为12个,均关于振动主体的中心点相对称。各支撑臂与振动主体的中心点位于一条直线上,即各支撑臂相对于振动主体的中心点呈发射状。本实用新型支撑臂的数量不限于12个,可以为8个、16个、等等,但至少为4个。本实用新型支撑臂的形状也不限于图中的形状。

本实用新型硅基电容式麦克风的振动主体相对背极板上下振动并与背极板形成电容效应。当声音气流传递到振膜上时,振动主体上下振动以产生位移,改变电容器的电容量,电容量的改变使电容器的输出端产生相应的交变电场,形成与声波信号对应的电信号,从而完成声电转换的功能。

与现有技术存在的将振膜周边整体被固定相比,本实用新型振膜通过支撑臂与基底相连而使振膜定位,减少了振膜周边的约束,膜应力相应减低,可有效地提高了产品的灵敏度。

以上所述的仅是本实用新型的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本实用新型的保护范围。

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