[实用新型]超快恢复二极管

权利要求书

1.一种超快恢复二极管，其特征在于：所述超快恢复二极管包括框架及焊接在框架上的至少一个芯片，所述超快恢复二极管的反向恢复时间为20-40ns，反向击穿电压为180V-300V。

2.根据权利要求1所述的超快恢复二极管，其特征在于：所述超快恢复二极管是单管。

3.根据权利要求2所述的超快恢复二极管，其特征在于：所述超快恢复二极管还包括键合丝、第一引脚、第二引脚，所述第一引脚与框架是绝缘的，所述第二引脚与框架是导通的，所述芯片的阴极与框架连接，所述芯片的阳极通过键合丝与第一引脚连接。

4.根据权利要求2所述的超快恢复二极管，其特征在于：所述超快恢复二极管还包括键合丝、第一引脚、第二引脚，所述第一引脚与框架是绝缘的，所述第二引脚与框架是导通的，所述芯片的阳极与框架连接，所述芯片的阴极通过键合丝与第一引脚连接。

5.根据权利要求1所述的超快恢复二极管，其特征在于：所述超快恢复二极管是共阴对管。

6.根据权利要求5所述的超快恢复二极管，其特征在于：所述超快恢复二极管还包括键合丝、第一引脚、第二引脚、第三引脚，所述至少一个芯片是第一芯片和第二芯片，所述第一引脚和第二引脚与框架是绝缘的，所述第三引脚与框架是导通的，所述第一芯片和第二芯片的阴极分别与框架连接，所述第一芯片的阳极通过键合丝与第一引脚连接，所述第二芯片的阳极通过键合丝与第二引脚连接，所述塑封外壳密封第一芯片、第二芯片及键合丝。

7.根据权利要求1所述的超快恢复二极管，其特征在于：所述超快恢复二极管是共阳对管。

8.根据权利要求5所述的超快恢复二极管，其特征在于：所述超快恢复二极管还包括键合丝、第一引脚、第二引脚、第三引脚，所述至少一个芯片是第一芯片和第二芯片，所述第一引脚和第二引脚与框架是绝缘的，所述第三引脚与框架是导通的，所述第一芯片和第二芯片的阳极分别与框架连接，所述第一芯片的阴极通过键合丝与第一引脚连接，所述第二芯片的阴极通过键合丝与第二引脚连接，所述塑封外壳密封第一芯片、第二芯片及键合丝。

9.根据权利要求1所述的超快恢复二极管，其特征在于：所述超快恢复二极管采用TO-220封装。