[实用新型]一种硅功放模块电路无效

专利信息
申请号: 200920135668.1 申请日: 2009-03-17
公开(公告)号: CN201393205Y 公开(公告)日: 2010-01-27
发明(设计)人: 陈琦 申请(专利权)人: 陈琦
主分类号: H03G3/26 分类号: H03G3/26
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 刘 健;黄韧敏
地址: 518000广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 功放 模块 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及CATV宽带通信传输领域,尤其涉及一种硅功放模块电路。

背景技术

近年来CATV(Community Antenna Television,电缆电视系统)事业在全国以及世界都得到了广泛的发展,然而在传输过程的功率放大部分,始终都是由菲利浦、PDI等一些国外公司的产品占主流地位,特别是硅推挽功率放大模块,国产品一直保持较大差距。从产品的设计上双方电路都具有其合理性。菲利浦和摩托罗拉等公司的电路形式主要采用单级或多级复合推挽电路组成。国产产品由于制造工艺及原材料的特点,一般采用双级或多级单推挽电路。

通过多年来行业技术人员的不断改进、提高,很多技术性能指标都能达到或优于国外的同类产品。如:频宽、频响、增益、回波损耗和斜率等等,但是最重要的非线性技术指标CTB(组合三阶差拍)、CSO(组合二阶干扰)和最大输出电平等等都比国外同类产品相差较远。目前只有国产的砷化镓功率模块能与国外的同类产品相提并论。但这种模块的成本较高,不利于节约的精神。经过多年的技术实践和在砷化镓模块开发过程中所取得的成功经验,发现现有硅推挽功放模块中放大电路之间的耦合存在不合理性。目前市场上的硅推挽模块内部的放大级之间采用的是普通高频变压器的耦合方式如图1,这种高频变压器的最佳工作频率是几十兆,虽采用良好的高频磁芯使变压器频率特性加宽,但由于线圈漏感和区间分布电容作用,工作频率更高时(如几百兆),其耦合功率损耗将急剧上升,从而影响模块的输出电平。为提高最大输出电平就必须调高RF(Radio Frequency,射频)晶体管的工作点,增大晶体管功率损耗,使CSO、CTB等非线性指标下降。

综上可知,所述现有技术的硅推挽功放模块中的级间耦合方式,在实际应用上显然存在不便与缺陷,所以有必要加以改进。

实用新型内容

针对上述的缺陷,本实用新型的目的在于提供一种硅功放模块电路,其可以提高硅功放电路的最大输出电平,并进一步提高硅功放电路的非线性指标CSO和CTB。

为了实现上述目的,本实用新型提供一种硅功放模块电路,所述硅功放模块电路包括若干级放大电路,所述各级放大电路与其前置级放大电路和/或后置级放大电路均采用传输线变压器进行耦接;所述各级放大电路组成推挽放大电路结构。

优选地,所述传输线变压器为宽带传输线变压器。

优选地,所述硅功放模块电路包括三级放大电路,第一级放大电路和第二级放大电路具有相同的电路结构。

优选地,所述第二级放大电路包括第一三极管和第二三极管,第三级放大电路包括第三三极管和第四三极管;所述第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管的集电极均通过一电感与固定偏置电源连接。

优选地,所述电感均为高频隔离电感。

优选地,所述第一三极管的集电极和第三三极管的基极间依次连接有用于耦合的传输线变压器和一耦合电容;所述第二三极管的集电极和第四三极管的基极间依次连接有用于耦合的传输线变压器和一耦合电容。

优选地,所述第一三极管和第二三极管的发射极间接有至少一旁路电容和若干电阻;所述第三三极管和第四三极管的发射极间接有至少一旁路电容和若干电阻。

优选地,所述第二级放大电路包括至少一滤波电路,所述滤波电路接于所述第一三极管或第二三极管的基极和集电极间。

优选地,所述第三级放大电路包括至少一反馈电路,所述反馈电路接于所述第三三极管或第四三极管的基极和集电极间。

优选地,所述第一三极管和第二三极管的基极均连接一耦合电容。

本实用新型硅功放模块电路各放大级间的耦合方式采用传输线变压器进行耦合,用这种级间耦合方式组成推挽放大电路,使硅功放模块电路的最高工作频率大大的提高,从而可以实现宽频带传输,宽频功率损耗的减少,提高了模块的最大输出电平,借此大大提高了硅功放模块电路的非线性指标CSO和CTB。

附图说明

图1是国产产品的硅推挽功放模块的级间耦合电路图;

图2是本实用新型提供的硅功放模块电路的结构图;

图3是本实用新型硅功放模块电路一具体实施例的电路结构图;

图4是本实用新型硅功放模块电路一具体实施例的电路图;

图5是本实用新型硅功放模块电路的的等效电路图;

图6是本实用新型硅功放模块电路的耦合电路的等效电路图。

具体实施方式

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