[实用新型]一种温度补偿的晶体倍频器有效
申请号: | 200920136804.9 | 申请日: | 2009-02-17 |
公开(公告)号: | CN201352677Y | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 吴砺;凌吉武;邱英;黄顺宁;陈卫民 | 申请(专利权)人: | 福州高意通讯有限公司 |
主分类号: | H01S3/109 | 分类号: | H01S3/109;G02F1/35 |
代理公司: | 厦门市诚得知识产权代理事务所 | 代理人: | 方惠春;黄国强 |
地址: | 350014福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 温度 补偿 晶体 倍频器 | ||
1.一种温度补偿的晶体倍频器,其特征在于:在两片等厚或厚度相近的II类倍 频晶体之间加入波片,所述的波片为基频光的全波片、且为倍频光的半波片; 所述的两片倍频晶体光轴相互垂直;波片与第一片II类倍频晶体和第二片II 类倍频晶体呈45°。
2.一种温度补偿的晶体倍频器,其特征在于:在两片等厚或厚度相近的II类倍 频晶体之间加入波片,所述的波片为基频光的半波片、且为倍频光的全波片; 所述的两片倍频晶体光轴相互平行;第一片II类倍频晶体和第二片II类倍频 晶体呈45°。
3.一种温度补偿的晶体倍频器,其特征在于:在一片II类倍频晶体上加光轴相 互平行或正交的非倍频晶体。
4.如权利要求3所述的晶体倍频器,其特征在于:在所述的II类倍频晶体与非 倍频晶体之间亦可加基频光半波片。
5.如权利要求3或4所述的晶体倍频器,其特征在于:所述的II类倍频晶体与 非倍频晶体之后设置一延迟角波片。
6.如权利要求1或2或3所述的晶体倍频器,其特征在于:所述的II类倍频晶 体、波片、非倍频晶体可以是通过胶合、光胶和深化光胶粘结成一体结构, 亦可以是分离元件结构。
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