[实用新型]一种高性能的大功率LED的封装结构

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及一种照明设备，尤其涉及一种高性能的大功率LED的封装结构。

【背景技术】

LED的散热和光提取问题仍是行业中关键共性问题，传统功率LED的封装一般是采用贴片式，在杯底由金属与注塑材料组成，以方便LED芯片的焊接，如此一来，很难保证底部的平整，影响光的提取；并且由于注塑材料与芯片相隔非常近，由于芯片发出大量的热量会使注塑材料加快老化、颜色黄变，从而增加LED的光衰；从传热方面来看，LED芯片所产生的热量首先要经过注塑材料然后再传至铝基板散热，这种散热会比较慢。

【实用新型内容】

本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种高性能的大功率LED的封装结构，LED取光效率高、散热好，且降低LED的光衰。

本实用新型是这样实现的：一种高性能的大功率LED的封装结构，包括一底座、一LED芯片和涂敷在该LED芯片表面的一荧光粉层，其中，该底座包括一铝基板、一绝缘注塑层，以及一对金属电极，铝基板和绝缘注塑层是以注塑方式连接，所述铝基板上设有一凹陷但不穿透该铝基板的半锥体形的反光杯；所述LED芯片即设在该反光杯的底部；所述绝缘注塑层包括注塑主体和注塑连接脚，该注塑主体位于所述铝基板的上方，且该注塑主体对应于所述反光杯设一半锥体，该半锥体与所述反光杯为同一锥体相邻的两段，所述注塑连接脚由上至下贯穿所述铝基板；所述一对金属电极是两不直接电导通的金属片，该两金属片的一端固定在绝缘注塑层内，并通过导线与LED芯片连接，另一端连接在所述铝基板的表层，且位于该对金属电极之间的铝基板的表层相互绝缘。

所述铝基板连同所述反光杯均包括自下而上设置的一铝层、一绝缘层、一铜层以及一镀银层，该铝基板处于所述两金属片之间的位置的铜层和镀银层均断开为正负极两部分。

所述LED芯片的周围填充满由高折射玻璃珠与硅树脂混合形成的第一胶体层，且第一胶体层的表面与所述LED芯片的表面平齐，所述荧光粉层延展覆盖所述第一胶体层的表面。

所述荧光粉层的表面还具有一由高折射玻璃珠与硅树脂混合形成的第二胶体层，该第二胶体层外形为圆弧体状。

第一胶体层和第二胶体层是由折射率为1.9～2.1，细度为400～450目的高折射玻璃珠与硅树脂按1∶2的质量比混合制成。

所述LED芯片通过绝缘胶粘在所述反光杯的底部，该绝缘胶的厚度为10～100um。

所述两金属片外形为立向设置的Z字形，且该两金属片的表面镀银。

所述铝基板位于所述反光杯的周围设有复数个用以固定该绝缘注塑层的穿孔，所述注塑连接脚由上至下贯穿该穿孔。

绝缘注塑层为具有高反光特性的绝缘材料所制。

所述半锥体邻近开口处的侧壁向外延展一环形台面。

本实用新型具有如下优点：通过在铝基板上制作杯座，可以保证杯底的平整性和LED芯片发光颜色的一致性，并可使LED芯片产生的热量很快散发；且LED芯片内、外侧均置入高折射玻璃珠，使LED芯片内部所产生的光通过高折射玻璃珠的折射取出，可使芯片的光提取率有很大的增加。

【附图说明】

下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。

图1是本实用新型高性能的大功率LED的封装结构示意图。

图2是图1的A-A剖视图，同时表示铝基板与绝缘注塑层连接处。

图3是本实用新型铝基板的顶面结构示意图。

图4是图3沿B-B剖视示意图。

【具体实施方式】

请参阅图1和图2所示，本实用新型的一种高性能的大功率LED的封装结构，包括底座1、LED芯片2、第一胶体层3、荧光粉层4以及第二胶体层5。

所述底座1包括一铝基板11、一绝缘注塑层12，以及一对金属电极13，铝基板11和绝缘注塑层12是以注塑方式连接。

所述铝基板11是通过特殊的模型浇铸而成的，铝基板11上设有一凹陷但不穿透该铝基板11的半锥体形的反光杯110；所述铝基板11连同所述反光杯110均包括自下而上设置的一铝层111、一绝缘层112、一铜层113以及一镀银层114，其中镀银层114是最后镀在所述铜层113上。且该铝基板11位于所述反光杯110的周围设有复数个用以固定该绝缘注塑层的穿孔115。再如图3所示，所述铝基板11的铜层113和镀银层114均断开为相互绝缘的正极和负极两部分。即在镀银前，先按图3所示腐蚀区域16的形状，将该铝基板11的铜层113腐蚀掉，以保证铜层113的正负极分开，然后再在铜层113上镀上银层，用以增强反光效果。