[实用新型]太阳能电池组件无效
| 申请号： | 200920139695.6 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN201430150Y | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 陈金虎;曾国强 | 申请（专利权）人： | 泉州市英德光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/02;H02J7/00;H01M10/44 |
| 代理公司： | 厦门市诚得知识产权代理事务所 | 代理人： | 方惠春;黄国强 |
| 地址： | 362000*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 组件 | ||
1、太阳能电池组件，包括多组单晶硅或多晶硅电池片组(1)、覆盖于所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)的膜层、封装于所述单晶硅或多晶硅电池片组的电路板，其特征在于：所述的电路是防反接保护电路，所述的防反接保护电路的输入端电性连接于所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)的输出端，输出端电性连接于升压电路(2)再至蓄电池(3)。
2、根据权利要求1所述的太阳能电池组件，其特征在于：所述的防反接保护电路包括正接线端和负接线端，正接线端通过导线与所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)的正源极(B+)连接，负接线端通过导线与所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)的负源极(B-)连接，所述连接负接线端和负源极(B-)的导线上设有场效应管(Q1)，所述场效应管(Q1)的源极与负接线端连接，场效应管(Q1)的漏极与所述升压电路(2)的负源极(V-)连接，场效应管(Q1)的栅极通过一串连的限流电阻(R1)与正接线端及升压电路(2)的负源极(V+)连接，所述场效应管(Q1)的栅极与所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)的负源极之间并联有电容(C2)、二极管(D1)和电阻(R2)，其中，二极管(D1)的正极与所述升压电路(2)的负源极(V-)连接，二极管(D1)的负极与场效应管(Q1)的栅极连接。
3、根据权利要求1所述的太阳能电池组件，其特征在于：所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)的每一正源极(B+)与所述的防反接保护电路包括正接线端之间还串联一保护二极管(D2、D3)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉州市英德光电科技有限公司，未经泉州市英德光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920139695.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有漏电保护功能的电源插头
- 下一篇：覆晶式IC包装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
