[实用新型]薄膜光伏器件无效
| 申请号： | 200920144435.8 | 申请日： | 2009-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN201360010Y | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 杨与胜;张群芳;李沅民 | 申请（专利权）人： | 福建钧石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 器件 | ||
【权利要求书】：
1、一种薄膜光伏器件，包括玻璃基板、透明导电前电极、背电极和保护背板，在所述透明导电前电极和背电极之间依次包括硼掺杂的非晶硅p层、本征i层和磷掺杂的非晶硅n层，其特征在于：所述本征i层具有起伏变化的表面结构。
2、如权利要求1所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述表面结构为波浪型起伏变化的表面结构。
3、如权利要求1所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述表面结构为凹槽和凸棱相间的表面结构。
4、如权利要求1所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述表面结构为锯齿状起伏变化的表面结构。
5、如权利要求1、2、3或4所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述本征i层的最大厚度与最小厚度的比例大于1.5。
6、如权利要求5所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述本征i层中的任何一点到所述n层的距离小于300纳米。
7、一种薄膜光伏器件，包括玻璃基板、透明导电前电极、背电极和保护背板，在所述透明导电前电极和背电极之间依次包括硼掺杂的非晶硅p层、本征i层和磷掺杂的非晶硅n层，其特征在于：所述本征i层具有非均匀的厚度。
8、如权利要求7所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述本征i层的最大厚度与最小厚度的比例大于1.5。
9、如权利要求8所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述本征i层中的任何一点到所述n层的距离小于300纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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