[实用新型]具有静电放电装置的探针检测机台有效
申请号: | 200920148342.2 | 申请日: | 2009-04-03 |
公开(公告)号: | CN201490168U | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 陈正雄;刘衍庆;曾家彬;林怡彦 | 申请(专利权)人: | 中茂电子(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H02H9/00;G01R31/26;G01R31/12;G01R1/24 |
代理公司: | 北京明和龙知识产权代理有限公司 11281 | 代理人: | 郁玉成 |
地址: | 518054 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 静电 放电 装置 探针 检测 机台 | ||
【技术领域】
本实用新型所属的技术领域是关于半导体检测机台,特别是一种具有静电放电装置的探针检测机台。
【背景技术】
由于人体或机械都可能累积大量静电荷,并在瞬间形成大量电荷放电,从而破坏相关电路元件;为确保电路元件的电气性能符合预期,不受静电破坏,目前许多电路元件都必须先经过模拟上述放电的「静电冲击」(Electrostatic Discharge,简称ESD)检测,以例如4000伏特、甚至8000伏特的电压,在极短时间(例如10ns)内将静电荷迅速释放,在受测元件上造成急速的单一脉冲,并随后量测受测元件是否受损,藉此淘汰无法耐受静电放电的元件。
为确保此种静电冲击测试的一贯性,由静电放电装置所提供、并施加至受测元件的电流受到严格规范,若施加电压是4000伏特,电流最高峰值约为2.67安培±10%,且必须如图1所示,在5至25ns的短暂瞬间,将电流由最高峰值的10%提升至90%,且电流在峰值后的150±20ns降回至峰值的36.8%。尤其在瞬间电流发生的过程中,不可以产生如图2所示振荡的振幅达峰值15%的状况,否则实验将不被接受。
目前静电放电装置的模拟电路如图3所示,具有一个100pF的电容器,以储存静电荷供上述静电放电时使用,外部回路则界定等效阻抗约为1500Ω,藉以保持上述测试电流的波形不致受到破坏。然而,即使在静电放电装置2的仪器输出端量测上述测试电流波形符合预期,并不代表经过长距离传输后的波形仍符合规范,尤其当传输回路并不讲究时,测试电流发生严重失真情况就成为普遍的问题。如何提升输出波形在传输时的理想性,也成为测试业需关注的问题。
另方面,如图4所示的测试机台是目前许多半导体元件制造过程中常用的检测机台,图中所示的结构,包含有一个基座7、对应于基座7的一组探针检测装置3,且此探针检测装置3包括两组压力导接组件32,每组压力导接组件32则分别设置有一根金属探针324,可检测例如电路完成的发光二极体晶粒9。
当上万颗分离的LED晶粒9(以一颗晶粒9为例)被放置于一片置放载台72上,再将置放载台72置放于上述机台的基座7上,由两根金属探针324逐一对每颗晶粒9点测,施加一个致能电讯号,使受测晶粒9发光,并以一组作为光学资料撷取装置8的光感测器度量发光状态并转换为电子资讯传送至处理装置5,从而由处理装置5判别晶粒9优劣。
若能将上述图3、图4的静电放电装置2与机台结合,当可更进一步增强机台性能,减少设备购置成本及厂房内的占用空间,并可简化检测流程、提高产出效率。然而,由于静电放电装置2释放的高电压,必须远离其他测试仪器的电路,而距离拉远,则必然造成上述静电冲击波形失真,如何克服此种两难问题,即成为整合上述机台的关键。
【实用新型内容】
本案之一目的,在于提供一种能整合检测待测物的静电耐受能力与电气性能的探针检测机台。
本案另一目的,在于提供一种能提供理想静电测试脉冲的探针检测机台。
本案再一目的,在于提供一种可简化测试流程的探针检测机台。
一种具有静电放电装置的探针检测机台,是供以静电冲击并检测具有至少二个受测端的待测半导体元件,该机台包括:基座;可提供高压静电冲击讯号至该待测半导体元件的至少二受测端的静电放电装置;对应该基座的探针检测装置,包括至少一个压力导接组件,其分别具有供电气接触而可供应预定致能讯号至该待测半导体元件至少一个受测端的金属探针;接收该待测半导体元件受该预定致能讯号时的输出资料的处理装置;及具有一对传输线,且该对传输线具有低于预定数值的阻抗值、使得该静电放电装置输出并传输至该探针检测装置的金属探针的高压静电冲击讯号阻尼振荡(damped oscillation)是低于预定范围的传输装置。
综上所述,本实用新型揭露一种系统整合的检测半导体用的探针检测机台,并利用阻抗匹配的传输装置连结探针检测装置与静电放电装置,减少静电冲击讯号在系统中的传输失真、保持输出波形的完整性而传送高压冲击讯号,不仅增加机台的检测项目、更提供稳定的讯号传输及高准确性的检测。
【附图说明】
图1是静电冲击测试的电流-时间理想曲线图;
图2是有严重阻尼振荡的静电冲击测试的电流-时间曲线图;
图3是静电放电装置的电路图;
图4是常见的探针检测机台示意图;
图5是第一实施例的立体示意图;
图6是静电放电装置藉传输装置与金属探针连结的示意图;
图7是部分传输装置的放大构造示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造