[实用新型]发光二极管支架改良结构有效

专利信息
申请号: 200920150561.4 申请日: 2009-05-07
公开(公告)号: CN201440425U 公开(公告)日: 2010-04-21
发明(设计)人: 陈立敏 申请(专利权)人: 一诠精密工业股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 代理人: 许志勇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 支架 改良 结构
【说明书】:

技术领域

一种发光二极管支架结构,尤其是指一种于支架的边缘设置间断式的阻隔区段以控制虹吸现象之发光二极管支架结构。

背景技术

近年来,由于发光二极管(Light Emitting Diode,LED)具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点,加上其体积小、耐震动、适合量产,因此发光二极管已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示灯与显示装置上,如行动电话及个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)屏幕背光源、各种户外显示器、交通信号灯及车灯等。

以下将说明一种发光二极管支架结构,并请参照「图1」所示,「图1」绘示为现有发光二极管支架结构之立体示意图;现有之发光二极管支架结构包含有:第一支架51以及第二支架52,第一支架51包含有第一顶端部511以及第一延伸部512,第二支架52包含有第二顶端部521以及第二延伸部522。

第一支架51的第一延伸部512自第一支架51的第一顶端部511向下延伸,而第一支架51的第一顶端部511凹设有凹陷部513,凹陷部513用于固接发光二极管芯片53,第二支架52的第二延伸部522自第二支架52的第二顶端部521向下延伸,而第二支架52的第二顶端部521用于与固接于凹陷部513的发光二极管芯片53形成电性连接,藉此可以通过第一支架51以及第二支架52分别提供发光二极管芯片53所需要的电性极性,并且第一支架51以及第二支架52亦可以提供与其他电子装置(图式中未绘示)形成电性连接并且固接于其他电子装置上。

第一支架51以及第二支架52是通过冲压方式加以制成,并且由于采用冲压方式则会在第一支架51的第一延伸部512以及第二支架52的第二延伸部522边缘产生细微的毛边,而在第一支架51的第一延伸部512以及第二支架52的第二延伸部522边缘所产生的细微毛边则会影响到第一支架51以及第二支架52的尺寸,会产生出定位上的问题。

因此,请参照「图2」所示,「图2」绘示为现有发光二极管支架结构改良之立体示意图;为了消除第一支架51的第一延伸部512以及第二支架52的第二延伸部522边缘所产生的细微毛边,在制造发光二极管支架结构时,则需要增加整平过程,藉以消除冲压时所在第一支架51的第一延伸部512以及第二支架52的第二延伸部522边缘所产生的细微毛边。

整平过程即为在第一支架51的第一延伸部512以及第二支架52的第二延伸部522边缘形成倒角54,通过整平过程所形成的倒角54即可以消除第一支架51的第一延伸部512以及第二支架52的第二延伸部522边缘所产生的细微毛边,再将第一支架51以及第二支架52通过封装胶体封装时,由于需要将第一支架51的第一顶端部511与第一延伸部512部份,以及第二支架52的第二顶端部521与第二延伸部522部分,以倒插的方式插入于液态的封装胶体中,在封装胶体凝固后,即可将第一支架51的第一顶端部511与第一延伸部512部分,以及第二支架52的第二顶端部521与第一延伸部512部分封装于封装胶体,并对发光二极管芯片53形成保护。

然而,由于第一支架51的第一延伸部512以及第二支架52的第二延伸部522经过整平过程所产生的倒角54,在将第一支架51以及第二支架52进行封装过程时,液态的封装胶体则会由于倒角54所产生出虹吸现象,即会使得封装胶体在凝固后的尺寸会产生变化,更有可能无法对发光二极管芯片53形成保护。

综上所述,可知先前技术中长期以来一直存在发光二极管支架结构在经过整平过程后,所产生虹吸现象而导致封装胶体尺寸会产生变化而无法对发光二极管芯片形成保护的问题,因此有必要提出改进的技术手段,来解决此一问题。

实用新型内容

有鉴于先前技术存在发光二极管支架结构在经过整平过程后,所产生虹吸现象而导致封装胶体尺寸会产生变化而无法对发光二极管芯片形成保护的问题,本实用新型遂揭露一种发光二极管支架改良结构,其中:

本实用新型所揭露之发光二极管支架改良结构,其包含:第一支架以及第二支架,第一支架包含有第一顶端部以及第一延伸部,第二支架包含有第二顶端部以及第二延伸部。

其中,第一延伸部自第一顶端部向下延伸,第一顶端部设置有内凹之凹陷部,凹陷部用于固接发光二极管芯片,并且第一延伸部之边缘凹设有至少一阻隔区段;第二延伸部自第二顶端部向下延伸,第二顶端部与发光二极管芯片形成电性连接,并且第二延伸部之边缘凹设有至少一阻隔区段。

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