[实用新型]一种反并联双二极管无效
| 申请号： | 200920154498.1 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN201478303U | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 袁建军 | 申请（专利权）人： | 南通久旺电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/48;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所 11316 | 代理人： | 钟廷良;李慧芳 |
| 地址： | 226500 江苏省如皋市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 并联 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种反并联双二极管芯片，其特征在于：所述芯片为反并联集成芯片，结构为在芯片载体上设置两个反向排列的PN结芯片A、B，两芯片中间有隔离带，隔离带两端覆盖二氧化硅保护层，PN结两端引出部分通过金属层连接形成芯片A、B反并联。
2.根据权利要求1所述的一种反并联双二极管芯片，其特征在于：所述芯片A、B的两端均分别设有磷扩散区和硼扩散区。
3.根据权利要求2所述的一种反并联双二极管芯片，其特征在于：所述芯片A的磷扩散区的端面与芯片B的硼扩散区的端面为同一端面。
4.根据权利要求2所述的一种反并联双二极管芯片，其特征在于：所述芯片A的硼扩散区的端面与芯片B的磷扩散区的端面为同一端面。
5.根据权利要求1所述的一种反并联双二极管芯片，其特征在于：所述隔离带内用硼进行穿通扩散。
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